[發明專利]集成發射率傳感器的對準特性在審
| 申請號: | 201780057140.4 | 申請日: | 2017-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN109716496A | 公開(公告)日: | 2019-05-03 |
| 發明(設計)人: | 約翰·巴格特;約瑟夫·費拉拉 | 申請(專利權)人: | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G01N21/95;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人: | 劉新宇;壽寧 |
| 地址: | 美國馬薩諸*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 工件支撐件 控制器 發光器 發射率 受光器 透射率 支軸 工件對準 工件旋轉 光束透過 外圍區域 旋轉位置 旋轉裝置 支撐工件 透射量 傳感器 對準 | ||
本發明的工件對準系統具有用來支撐工件的工件支撐件。第一發光器朝向工件引導第一光束。第一受光器接受第一光束。旋轉裝置使工件支撐件繞支軸旋轉。第二發光器朝向工件的外圍區域引導第二光束。在工件旋轉的同時,第二受光器接受第二光束。控制器基于第一光束的總初始發射率和第一光束透過工件的透射量來確定工件透射率。控制器至少部分基于工件的旋轉位置、所接受的第二光束的一部分和所確定的透射率來確定工件相對于支軸的位置。
本申請要求名稱為“INTEGRATED EMISSIVITY SENSOR ALIGNMENTCHARACTERIZATION”、申請日為2016年9月30日、序列號為15/281,757的美國專利申請的權益,其全部內容通過引用并入本文。
技術領域
本發明總體上涉及工件處理系統以及處理工件的方法,更具體涉及一種用于處置并對準光透射不同的工件的系統和方法。
背景技術
在半導體處理中,可對單個工件或半導體晶片執行許多操作。一般而言,每個對工件的處理操作通常按特定順序執行,其中每個操作等待到完成前一操作。在許多處理操作中,需要工件的特定取向和/或了解工件相對于工件保持器的位置,以便適當地處理或處置工件。例如,諸如在運送載體或存儲盒與處理系統之間交換工件以及通過一個或多個裝載鎖定腔室將工件從大氣環境轉移到處理系統的處理腔室的抽空環境中等操作可能需要特定的取向或了解工件的空間位置,以便適當地處置并處理工件。
工件取向(例如,凹口對準)可在抽空環境或大氣環境中經由光存在傳感器來執行,憑此由發光器發射光束并且朝向工件引導光束,同時使工件旋轉。然后,由受光器所接受的光的變化能夠用于確定工件中界定的凹口的位置和/或工件位置的偏心率,這取決于完全或部分接受光的方式。Hiroaki Saeki的第5,740,034號美國專利已揭示一種這樣的系統,其中利用與所接受的光信號相關聯的波形來確定工件的凹口位置和/或偏心位置。
常規上,這樣經由光存在傳感器來定位足以精確地確定對所發射的光不透光的工件的位置,諸如在常規的硅襯底中。然而,當在相同的處理系統中進行處理的襯底或工件在材料上互不相同時(例如,硅與碳化硅),使用常規的光存在傳感器和對準器可能導致定位中的各種誤差,特別是當襯底對所發射的光部分透光時。例如,使用常規的對準系統和方法,從一個襯底到另一個襯底的透射差異可能導致定位中的顯著誤差。工件到工件的透射率和發射率能夠隨特定工件上部署的選區、厚度和涂層而變化。照此,當從一種工件類型變成另一種工件類型(或從一種涂層變成另一種涂層)時,常規的對準系統無法提供足夠的定位數據,除非對該對準系統本身作出顯著更改,例如更改從中發射的光的波長。
發明內容
本發明通過提供一種用于精確地確定具有各種發射率和/或透射率的工件的位置的系統、設備和方法而有利地克服現有技術中的局限性,從而盡量減少系統相關的所有成本。更特定而言,本發明提供一種用于有利地確定工件的透射率并利用該透射率作為對準設備的輸入的系統和方法,憑此基于透射率來調整與對準設備相關聯的信號。因此,本發明提供一種針對實踐中任何襯底材料和厚度的定位方案,而無需考慮襯底的各種涂層或性質。
據此,下文提出本發明的簡要發明內容,提供對本發明某些方面的基本理解。本發明內容并非本發明的詳盡綜述。既非旨在確定本發明的關鍵或主要元素,亦非限定本發明的范圍。其目的在于,以簡化形式呈現本發明的某些構思,作為下文具體實施方式的引言。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





