[發(fā)明專利]玻璃基板及層疊基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780056935.3
• 申請日: 2017-09-12
• 公開（公告）號: CN109715572B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 澤村茂輝;小野和孝
• 申請（專利權(quán)）人: AGC株式會社
• 主分類號: C03C3/085
• 分類號: C03C3/085;B32B17/06;C03C3/087;C03C3/091;C03C17/06;H01L23/15
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李書慧;趙青

本發(fā)明的第一發(fā)明涉及一種玻璃基板，堿金屬氧化物的含量以氧化物基準(zhǔn)的摩爾百分率計為0～0.1％，失透溫度粘性為10^3.2dPa·s以上，30℃～220℃下的平均熱膨脹系數(shù)α為7.80～9.00(ppm/℃)。本發(fā)明的第二發(fā)明涉及一種玻璃基板，堿金屬氧化物的含量以氧化物基準(zhǔn)的摩爾百分率計為0～0.1％，光彈性常數(shù)C為10～26nm/cm/Mpa，并且該玻璃基板用于半導(dǎo)體封裝用的支撐基板。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及玻璃基板及層疊基板。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件的領(lǐng)域中，器件的集成度增加，另一方面，正推進(jìn)器件的小型化。與此相伴，對具有高集成度的器件的封裝技術(shù)的需求正在提高。

近年來，在半導(dǎo)體封裝的領(lǐng)域中，晶片級封裝(WLP)或面板級封裝(PLP)等技術(shù)備受關(guān)注(參照專利文獻(xiàn)1等)。該技術(shù)是例如將硅芯片放置在玻璃基板上，利用密封樹脂進(jìn)行模塑，由此進(jìn)行密封的技術(shù)。由于能夠?qū)⒍俗优渲糜诒裙栊酒拿娣e大的面積上，因此，能夠高效的布線，作為結(jié)果，能夠提高每單位面積的集成度。另外，能夠通過進(jìn)行大面積化而降低成本。

一般而言，密封樹脂的熱膨脹率大于玻璃基板的熱膨脹率，因此，玻璃基板和密封樹脂的熱膨脹率差大。因此，使用WLP技術(shù)進(jìn)行封裝時，產(chǎn)生如下問題：發(fā)生由該熱膨脹率差引起的翹曲。為了解決這樣的問題，以往采取了如下方法：在密封樹脂中加入各種填料，使該密封樹脂的熱膨脹率與玻璃基板的熱膨脹率一致而抑制在上述的封裝工序中的翹曲。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2015-78113號公報

專利文獻(xiàn)2：日本特開平8-333133號公報

發(fā)明內(nèi)容

然而，如果在密封樹脂中加入大量的填料，則產(chǎn)生如下問題：由于密封樹脂的流動性降低，因此，密封樹脂無法被填充至各個角落，由此可靠性降低。因此，為了不是在密封樹脂加入填料來調(diào)整熱膨脹系數(shù)而是使玻璃基板的熱膨脹率與密封樹脂的熱膨脹率相匹配，要求有具有較大的熱膨脹系數(shù)的玻璃基板。

另外，如上所述的WLP等包含硅芯片，因此，如果玻璃基板含有堿金屬氧化物，則有產(chǎn)生如下各種問題的顧慮：例如在熱處理工序等中，該堿金屬氧化物成為離子而污染硅芯片，使配設(shè)在硅芯片上的LSI電路等短路等。因此，期望玻璃基板中的堿金屬氧化物的含量盡可能少。

然而，具有高熱膨脹系數(shù)的以往的玻璃含有大量的堿金屬氧化物。在專利文獻(xiàn)1中公開了20～200℃的溫度范圍的平均線熱膨脹系數(shù)為50×10^-7～66×10^-7/℃的支撐玻璃基板，但含有5質(zhì)量％以上的Na₂O或K₂O等堿金屬氧化物。另外，在專利文獻(xiàn)2中公開了0～300℃的溫度范圍的線熱膨脹率為60～90×10^-7/℃的玻璃，但含有5質(zhì)量％左右的堿金屬氧化物。

另外，由于使用形態(tài)為薄板，因此，要求生產(chǎn)率良好地進(jìn)行薄板的成型，但以往的無堿玻璃存在如下課題：失透溫度高，成型為基板困難，塊成型后需要進(jìn)行切片·研磨等。

因此，本發(fā)明的第一發(fā)明的目的在于提供堿金屬氧化物的含量盡可能少且熱膨脹系數(shù)與以往相比充分大、生產(chǎn)率優(yōu)異的玻璃基板及使用該玻璃基板的層疊基板。另外，本發(fā)明的第二發(fā)明的目的在于提供堿金屬氧化物的含量盡可能少且適于半導(dǎo)體封裝用的支撐基板的玻璃基板及使用該玻璃基板的層疊基板。

本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)通過使失透溫度粘性和30℃～220℃下的平均熱膨脹系數(shù)為特定范圍，能夠得到堿金屬氧化物的含量盡可能少且熱膨脹系數(shù)與以往相比充分大、生產(chǎn)率優(yōu)異的玻璃基板，完成了第一發(fā)明。

另外，本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)通過使光彈性常數(shù)C為特定范圍，能夠得到堿金屬氧化物的含量盡可能少且能夠用作半導(dǎo)體封裝用的支撐基板的玻璃基板，完成了第二發(fā)明。