[發(fā)明專利]抗蝕劑下層膜形成用組合物

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780054941.5
• 申請(qǐng)日: 2017-09-15
• 公開（公告）號(hào): CN109690405B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 西田登喜雄;坂本力丸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日產(chǎn)化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F7/11
• 分類號(hào): G03F7/11;C08F220/18;C08F220/24;C08F220/36;G03F7/20
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 段承恩;李照明

1.一種光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含：

具有下述式(1)～式(3)所示的結(jié)構(gòu)單元的共聚物，

交聯(lián)劑，

有機(jī)酸催化劑，以及

溶劑；

所述交聯(lián)劑的含有比例相對(duì)于所述共聚物為1質(zhì)量％～50質(zhì)量％，

式中，R¹各自獨(dú)立地表示氫原子或甲基，R²表示碳原子數(shù)1～3的亞烷基，A表示保護(hù)基，R³表示具有四元環(huán)～七元環(huán)的內(nèi)酯骨架、金剛烷骨架、三環(huán)癸烷骨架或降冰片烷骨架的有機(jī)基，R⁴表示至少1個(gè)氫原子被氟基取代、并且還可以具有至少1個(gè)羥基作為取代基的碳原子數(shù)1～12的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的有機(jī)基。

2.一種光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含：

具有下述式(1)所示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元和下述式(3)所示的結(jié)構(gòu)單元的共聚物，

交聯(lián)劑，

有機(jī)酸催化劑，以及

溶劑；

所述交聯(lián)劑的含有比例相對(duì)于所述共聚物為1質(zhì)量％～50質(zhì)量％，

式中，R¹各自獨(dú)立地表示氫原子或甲基，R²表示碳原子數(shù)1～3的亞烷基，A表示保護(hù)基，Y表示-O-基或-NH-基，R¹⁰表示至少1個(gè)氫原子可以被氟基或氯基取代、且可以具有苯氧基作為取代基的碳原子數(shù)1～12的直鏈狀或支鏈狀的烷基或羥基烷基，R⁴表示至少1個(gè)氫原子被氟基取代、并且還可以具有至少1個(gè)羥基作為取代基的碳原子數(shù)1～12的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的有機(jī)基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述式(1)所示的結(jié)構(gòu)單元為下述式(1a)所示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(1b)所示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(1c)所示的結(jié)構(gòu)單元或下述式(1d)所示的結(jié)構(gòu)單元，

式中，R¹和R²與所述式(1)的R¹和R²含義相同，2個(gè)R⁵各自獨(dú)立地表示氫原子、甲基或乙基，R⁶表示甲基或乙基，b表示0～3的整數(shù)，R⁷表示碳原子數(shù)1～6的直鏈狀或支鏈狀的烷基、或碳原子數(shù)1～6的直鏈狀或支鏈狀的烷氧基烷基，R⁸表示碳原子數(shù)1～6的直鏈狀或支鏈狀的烷氧基，R⁹表示氫原子、或碳原子數(shù)2～6的直鏈狀或支鏈狀的烷氧基羰基。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述共聚物的重均分子量為1500～20000。

5.一種抗蝕劑圖案的形成方法，其包含下述工序：將權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物涂布在基板上并進(jìn)行烘烤，形成厚度1nm～25nm的抗蝕劑下層膜的工序；在所述抗蝕劑下層膜上涂布抗蝕劑溶液并進(jìn)行加熱，形成抗蝕劑膜的工序；利用選自KrF準(zhǔn)分子激光、ArF準(zhǔn)分子激光和遠(yuǎn)紫外線中的放射線，經(jīng)由光掩模對(duì)所述抗蝕劑膜進(jìn)行曝光的工序；以及在所述曝光后利用顯影液進(jìn)行顯影的工序。