[發明專利]固化物、波長轉換片材、發光裝置、密封用構件及半導體發光裝置

在審

• 申請號: 201780054473.1
• 申請日: 2017-09-04
• 公開（公告）號: CN109661418A
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發明（設計）人: 土居篤典;西田理彥;增井建太朗
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社
• 主分類號: C08G77/04
• 分類號: C08G77/04;C08G77/44;C08K3/00;C08L83/04;C08L83/06;H01L23/29;H01L23/31;H01L33/50;H01L33/56;H01S5/022
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;焦成美

1.固化物，其包含縮合型聚硅氧烷樹脂固化物，且滿足下述(1)及(2)，

(1)所述縮合型聚硅氧烷樹脂固化物的固體²⁹Si-核磁共振譜中，存在歸屬于T體的硅原子的峰，

其中，所謂T體的硅原子，是指與3個氧原子鍵合的硅原子，

(2)下述的Kratky Plot中，利用下述式(A)，由小角X射線散射的測定中使用的X射線的波數的范圍內的極大峰位置的波數求出的參數d_Max為以下，

d_Max＝2π/q_Max...(A)

其中，所謂Kratky Plot，是指通過下述方式得到的圖：

針對所述縮合型聚硅氧烷樹脂固化物的小角X射線散射的測定值，將小角X射線散射的測定中使用的X射線的波數作為橫軸，

將從利用小角X射線散射測得的測定散射強度減去空氣散射而得到的散射強度、乘以小角X射線散射的測定中使用的X射線的波數(單位：)的平方而得到的值作為縱軸，

進行繪制。

2.如權利要求1所述的固化物，其中，相對于所述縮合型聚硅氧烷樹脂固化物中包含的全部硅原子而言，所述T體的硅原子的比例為50摩爾％以上。

3.如權利要求2所述的固化物，其中，相對于所述縮合型聚硅氧烷樹脂固化物中包含的全部硅原子而言，T3硅原子的比例為50摩爾％以上，

其中，所謂T3硅原子，是指T體的硅原子中、3個氧原子均與其他硅原子鍵合的硅原子。

4.如權利要求1～3中任一項所述的固化物，其中，所述縮合型聚硅氧烷樹脂固化物包含式(A1)、式(A1’)、式(A2)或式(A3)表示的結構單元，

[化學式1]

式(A1)、式(A1’)、式(A2)及式(A3)中，

R¹表示碳原子數為1～10的烷基或碳原子數為6～10的芳基，

R²表示碳原子數為1～4的烷氧基或羥基，

存在有多個的R¹及R²各自可以相同也可以不同。

5.如權利要求4所述的固化物，其中，所述R¹為甲基，

所述R²為碳原子數為1～3的烷氧基或羥基，存在有多個的R²可以相同也可以不同。

6.如權利要求1～5中任一項所述的固化物，其中，在所述縮合型聚硅氧烷樹脂固化物中分散有填料。

7.如權利要求6所述的固化物，其中，所述填料為波長轉換材料。

8.如權利要求7所述的固化物，其中，所述波長轉換材料為熒光體。

9.波長轉換片材，其將權利要求7或8所述的固化物作為形成材料。

10.發光裝置，其具有：

射出光的光源；和

被配置在從所述光源射出的光入射的位置的權利要求9所述的波長轉換片材。

11.密封用構件，其將權利要求1～8中任一項所述的固化物作為形成材料。

12.半導體發光裝置，其具有：

基材；

被配置在所述基材上的半導體發光元件；和

將所述半導體發光元件的至少一部分密封的密封用構件，

所述密封用構件為權利要求11所述的密封用構件。

13.如權利要求12所述的半導體發光裝置，其中，所述半導體發光元件的發光波長為400nm以下。