[發(fā)明專利]氣相生長裝置及外延晶片的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780054077.9
• 申請日: 2017-07-06
• 公開（公告）號: CN109661715B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大西理;桝村壽
• 申請（專利權(quán)）人: 信越半導(dǎo)體株式會社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C23C16/455
• 代理公司: 北京德崇智捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11467
• 代理人: 賀征華

1.一種氣相生長裝置，其特征在于，

包括：

反應(yīng)爐，其通過原料氣體使外延層氣相生長于基板；

通路，其包括通往上述反應(yīng)爐內(nèi)的入口、及位于上述入口的上方且較上述入口靠上述反應(yīng)爐側(cè)并且到達(dá)上述反應(yīng)爐內(nèi)之出口，將上述入口與上述出口連接從而將上述原料氣體導(dǎo)入上述反應(yīng)爐內(nèi)；

階部，其位于上述通路內(nèi)，且包括與上述入口對向的第1面及自上述第1面的上端延伸至上述出口的第2面；

多條流路，其自上述入口延伸至上述入口的外側(cè)，用于將上述原料氣體引導(dǎo)至上述入口，且為32條以上；

合流路，其為上述多條流路自上述入口側(cè)朝向上述原料氣體的上游側(cè)呈競賽狀合流并于上述原料氣體的上游側(cè)相連；及

多條分割通路，其沿著上述原料氣體流動的方向與上述多條流路對應(yīng)地將上述通路進(jìn)行分割，且分別與上述多條流路連接并相通，

其中，上述分割通路僅形成有與上述多條流路對應(yīng)的數(shù)量，自上述入口經(jīng)由上述階部而朝向上述出口延伸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相生長裝置，其特征在于，

其中，上述多條流路合計為64條以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相生長裝置，其特征在于，

其中，上述多條流路沿著水平面分別并列配置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣相生長裝置，其特征在于，

其中，上述多條流路沿著上述水平面相互鄰接。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣相生長裝置，其特征在于，

還包括：支柱部，其自上述反應(yīng)爐朝向一對上述流路之間延伸。