[發(fā)明專利]距離傳感器及距離圖像傳感器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780052894.0
• 申請日: 2017-05-30
• 公開（公告）號: CN109690777B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 間瀬光人;平光純;島田明洋
• 申請（專利權(quán)）人: 浜松光子學(xué)株式會社
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144;H04N25/70;H04N25/76;G01S7/481;G01S17/894;H01L27/146
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

距離傳感器具備硅基板和傳送電極。硅基板具備相互相對的第一主面和第二主面。在硅基板的第一主面?zhèn)仍O(shè)置有根據(jù)入射光產(chǎn)生電荷的電荷產(chǎn)生區(qū)域和收集來自電荷產(chǎn)生區(qū)域的電荷的電荷收集區(qū)域。傳送電極在第一主面上配置于電荷產(chǎn)生區(qū)域和電荷收集區(qū)域之間。傳送電極根據(jù)輸入的信號使電荷從電荷產(chǎn)生區(qū)域流入電荷收集區(qū)域。在第二主面的至少與電荷產(chǎn)生區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成有多個凸部。多個凸部具有相對于硅基板的厚度方向傾斜的斜面。在凸部中硅基板的(111)面作為斜面露出。凸部的高度為200nm以上。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及距離傳感器及距離圖像傳感器。

背景技術(shù)

已知有具備硅基板和傳送電極的距離傳感器(距離圖像傳感器)(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。硅基板具有相互相對的第一主面和第二主面。在硅基板，根據(jù)入射光產(chǎn)生電荷的電荷產(chǎn)生區(qū)域和收集來自電荷產(chǎn)生區(qū)域的電荷的電荷收集區(qū)域設(shè)置于第一主面?zhèn)取魉碗姌O在第一主面上配置于電荷產(chǎn)生區(qū)域和電荷收集區(qū)域之間。傳送電極根據(jù)輸入的信號從電荷產(chǎn)生區(qū)域使電荷流入電荷收集區(qū)域。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特表2007-526448號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

在專利文獻(xiàn)1所述的距離傳感器(距離圖像傳感器)中，在紫外的波長范圍內(nèi)的分光靈敏度特性中存在改善的余地。

本發(fā)明的一個方式的目的在于，提供實(shí)現(xiàn)紫外的波長范圍內(nèi)的分光靈敏度特性的提高的距離傳感器及距離圖像傳感器。

解決問題的技術(shù)手段

本發(fā)明的一個方式為距離傳感器，具備硅基板和傳送電極。硅基板具有相互相對的第一主面和第二主面。在硅基板，在第一主面?zhèn)仍O(shè)置有根據(jù)入射光產(chǎn)生電荷的電荷產(chǎn)生區(qū)域和收集來自電荷產(chǎn)生區(qū)域的電荷的電荷收集區(qū)域。傳送電極在第一主面上配置于電荷產(chǎn)生區(qū)域和電荷收集區(qū)域之間。傳送電極根據(jù)輸入的信號，從電荷產(chǎn)生區(qū)域使電荷流入電荷收集區(qū)域。在第二主面的至少與電荷產(chǎn)生區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成有多個凸部。多個凸部具有相對于硅基板的厚度方向傾斜的斜面。在凸部中，硅基板的(111)面作為斜面露出。凸部的高度為200nm以上。

在本一個方式所涉及的距離傳感器中，形成于第二主面的多個凸部具有相對于硅基板的厚度方向傾斜的斜面。在光從第二主面入射于硅基板的情況下，一部分的光在距離傳感器的第二主面?zhèn)确瓷洹Ｐ泵嫦鄬τ诠杌宓暮穸确较騼A斜。因此，例如，在一個凸部的斜面?zhèn)确瓷涞墓獬蚺c該一個凸部接近的凸部的斜面?zhèn)龋瑥慕咏耐共康男泵嫒肷溆诠杌濉?/p>

在凸部中，因?yàn)楣杌宓?111)面作為斜面露出，所以從斜面入射于硅基板的光容易進(jìn)入硅基板。因?yàn)橥共康母叨葹?00nm以上，所以斜面的表面積大。因此，入射于斜面的光大多進(jìn)入硅基板。

紫外的波長區(qū)域的光的由硅引起的吸收系數(shù)大。因此，紫外的波長區(qū)域的光在硅基板的靠近第二主面的區(qū)域被吸收。在本一個方式所涉及的距離傳感器中，硅基板的(111)面在形成于硅基板的凸部露出。其結(jié)果，不會阻礙靠近第二主面的區(qū)域內(nèi)的光的吸收。

由于以上的理由，在本一個方式所涉及的距離傳感器中，實(shí)現(xiàn)紫外的波長范圍內(nèi)的分光靈敏度特性的提高。

本一個方式所涉及的距離傳感器也可以還具備配置于第二主面上，使入射光透過的氧化硅膜。該情況下，因?yàn)檠趸枘ぷ鳛榉瓷浞乐鼓て鹱饔茫虼耍馔ㄟ^硅基板更容易進(jìn)入。因此，在本方式中，紫外的波長范圍內(nèi)的分光靈敏度特性進(jìn)一步提高。

本一個方式所涉及的距離傳感器也可以還具備配置于第二主面上，使入射光透過的氧化鋁膜。該情況下，通過氧化鋁膜使規(guī)定的極性的固定電荷存在于硅基板的光入射面?zhèn)取Ｒ?guī)定的極性的固定電荷存在的硅基板的第二主面?zhèn)鹊膮^(qū)域作為累積層起作用。