[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝回流工序用聚酰亞胺薄膜及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780052747.3 | 申請日: | 2017-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN109661719B | 公開(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李啟雄;樸浩榮;李泰碩 | 申請(專利權(quán))人: | IPI技術(shù)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/02;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/498;H01L23/00 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 呂琳;宋東穎 |
| 地址: | 韓國大田*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 回流 工序 聚酰亞胺 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝回流工序用聚酰亞胺薄膜,其特征在于,
包括:
非熱塑性聚酰亞胺層;
熱塑性聚酰亞胺層,層疊于上述非熱塑性聚酰亞胺層上,具有回流工序溫度以下的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度;以及
粘結(jié)層,附著于上述熱塑性聚酰亞胺層上,
上述熱塑性聚酰亞胺層的表面經(jīng)過羧基改性處理,
上述熱塑性聚酰亞胺層使用將具有醚基、酮基以及甲基中一種的芳香二胺與具有醚基、酮基以及甲基中一種的芳香二酐在有機(jī)溶劑中合成而制成的聚酰胺酸,
通過在上述熱塑性聚酰亞胺層上涂敷添加有氫氧化鉀的上述聚酰胺酸,在300~400℃的溫度下進(jìn)行熱處理,來對上述熱塑性聚酰亞胺層的表面進(jìn)行羧基改性處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝回流工序用聚酰亞胺薄膜,其特征在于,上述熱塑性聚酰亞胺層具有260℃以下的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝回流工序用聚酰亞胺薄膜,其特征在于,上述芳香二胺包含3,3'-二甲基-[1,1'-聯(lián)苯]-4,4'-二胺,上述芳香二酐包含3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐。
4.一種半導(dǎo)體封裝回流工序用聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于,包括:
步驟(a),準(zhǔn)備非熱塑性聚酰亞胺層;
步驟(b),將具有回流工序溫度以下的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度且表面經(jīng)過羧基改性處理的熱塑性聚酰亞胺層附著在上述非熱塑性聚酰亞胺層上;以及
步驟(c),將粘結(jié)層附著在上述熱塑性聚酰亞胺層上,
在上述步驟(b)中,將具有醚基、酮基以及甲基中一種的芳香二胺與具有醚基、酮基以及甲基中一種的芳香二酐在有機(jī)溶劑中合成來制備聚酰胺酸,從而使得上述熱塑性聚酰亞胺層具有260℃以下的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,
通過在上述熱塑性聚酰亞胺層上涂敷添加有氫氧化鉀的上述聚酰胺酸,在300~400℃的溫度下進(jìn)行熱處理,來對上述熱塑性聚酰亞胺層的表面進(jìn)行羧基改性處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝回流工序用聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于,上述芳香二胺包含3,3'-二甲基-[1,1'-聯(lián)苯]-4,4'-二胺,上述芳香二酐包含3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝回流工序用聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于,相對于100重量份的上述聚酰胺酸,添加0.5~3重量份的上述氫氧化鉀。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





