[發(fā)明專利]諧振轉(zhuǎn)換器中的共模(CM)電磁干擾(EMI)降低有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780051452.4 | 申請日: | 2017-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN109643956B | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張歡;戴和平;王碩 | 申請(專利權(quán))人: | 華為技術(shù)有限公司;佛羅里達大學研究基金會 |
| 主分類號: | H02M3/28 | 分類號: | H02M3/28 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 諧振 轉(zhuǎn)換器 中的 cm 電磁 干擾 emi 降低 | ||
一種裝置,包括:第一電感器,耦合到第一節(jié)點和第二節(jié)點;第二電感器,耦合到第三節(jié)點和第四節(jié)點;第三電感器,耦合到所述第四節(jié)點和第五節(jié)點,其中所述第一電感器、第二電感器和第三電感器形成變壓器;以及補償電容器,耦合到所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點中的一個以及所述第四節(jié)點并且包括補償電容。一種制造諧振轉(zhuǎn)換器的方法,所述方法包括:獲得諧振轉(zhuǎn)換器,其中所述諧振轉(zhuǎn)換器包括變壓器;確定所述變壓器的寄生電容;根據(jù)所述寄生電容計算補償電容;以及在所述變壓器上添加補償電容器,其中所述補償電容器包括所述補償電容。
相關(guān)申請案交叉申請
本申請要求于2016年9月15日由Huan Zhang等人遞交的發(fā)明名稱為“諧振轉(zhuǎn)換器中的共模(CM)電磁干擾(EMI)降低”的第62/395,231號美國臨時申請案的在先申請優(yōu)先權(quán),其又要求于2017年8月22日由Huan Zhang等人遞交的發(fā)明名稱為“諧振轉(zhuǎn)換器中的共模(CM)電磁干擾(EMI)降低”的第15/682,989號美國專利申請案的在先申請優(yōu)先權(quán),該專利申請案的內(nèi)容以引入的方式并入本文。
關(guān)于由聯(lián)邦政府贊助研究或開發(fā)的聲明
不適用。
參考縮微膠片附錄
不適用。
背景技術(shù)
電信在上個世紀呈現(xiàn)蓬勃發(fā)展趨勢,特別是在過去二十年里,光通信和無線通信發(fā)展迅猛。光通信采用光纖機柜,無線通信采用基站。光纖機柜和基站以及其它此類網(wǎng)絡組件均使用高壓電源。高壓電源可以在380伏或更高的電壓下工作,因此可以利用DC-DC轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)升壓和降壓。LLC諧振轉(zhuǎn)換器就是其中一種DC-DC轉(zhuǎn)換器。
發(fā)明內(nèi)容
需要精確地對LLC諧振轉(zhuǎn)換器進行建模,以便考慮并降低LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的EMI,尤其是CM EMI。還需要精確地對全橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器進行建模。本發(fā)明實施例能夠降低諧振轉(zhuǎn)換器(包括全橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器)中的CM EMI。這些實施例用于測量轉(zhuǎn)換器的寄生電容、轉(zhuǎn)換器建模以及基于所述建模確定轉(zhuǎn)換器的補償電容器。在轉(zhuǎn)換器的變壓器上增加補償電容器,可降低CM EMI。這些實施例適用于三繞組、雙繞組和其它合適的轉(zhuǎn)換器。這些實施例非常實用,因為增加補償電容器既簡單、成本又低。此外,通過降低CM EMI,與其它轉(zhuǎn)換器相比,這些實施例提供的EMI濾波器體積更小、成本更低并且效率更高。
在一個實施例中,本發(fā)明包括一種裝置,所述裝置包括:第一電感器,耦合到第一節(jié)點和第二節(jié)點;第二電感器,耦合到第三節(jié)點和第四節(jié)點;第三電感器,耦合到第四節(jié)點和第五節(jié)點,其中所述第一電感器、第二電感器和第三電感器形成變壓器;以及補償電容器,耦合到所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點中的一個以及所述第四節(jié)點并且包括補償電容。在一些實施例中,所述裝置還包括:第一寄生電容器,位于所述第一節(jié)點和所述第四節(jié)點之間并且包括第一寄生電容;以及第二寄生電容器,位于所述第二節(jié)點和所述第四節(jié)點之間并且包括第二寄生電容;所述第一寄生電容器和所述第二寄生電容器不是物理電容器;所述補償電容器耦合到所述第四節(jié)點和所述第一節(jié)點,其中所述補償電容與所述第一寄生電容之和基本等于所述第二寄生電容;所述補償電容器耦合到所述第四節(jié)點和所述第二節(jié)點,其中所述補償電容和所述第二寄生電容之和基本等于所述第一寄生電容;所述裝置是全橋LLC電路;所述補償電容器是可調(diào)電容器。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華為技術(shù)有限公司;佛羅里達大學研究基金會,未經(jīng)華為技術(shù)有限公司;佛羅里達大學研究基金會許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780051452.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M3-00 直流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M3-02 .沒有中間變換為交流的
H02M3-22 .帶有中間變換為交流的
H02M3-24 ..用靜態(tài)變換器的
H02M3-34 ..用動態(tài)變換器的
H02M3-44 ..由靜態(tài)變換器與動態(tài)變換器組合的;由機電變換器與另一動態(tài)變換器或靜態(tài)變換器組合的





