[發(fā)明專利]掃描天線有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780048005.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109690870B | 公開(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 大竹忠;大類貴俊;中村涉;箕浦潔;水崎真伸 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 夏普株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01Q3/34 | 分類號(hào): | H01Q3/34;G02F1/13;H01Q3/44;H01Q13/22;H01Q21/06 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飛亞;習(xí)冬梅 |
| 地址: | 日本國大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掃描 天線 | ||
1.一種掃描天線,其具有排列有多個(gè)天線單元的發(fā)送接收區(qū)域、和非發(fā)送接收區(qū)域,其特征在于,具有:
TFT基板,其具有第一電介質(zhì)基板、由所述第一電介質(zhì)基板支承的多個(gè)TFT、多個(gè)柵極總線、多個(gè)源極總線、以及多個(gè)貼片電極,所述多個(gè)TFT、所述多個(gè)貼片電極、所述多個(gè)柵極總線以及所述多個(gè)源極總線配置于所述發(fā)送接收區(qū)域,所述多個(gè)貼片電極中的每一個(gè)與所述多個(gè)TFT中對(duì)應(yīng)的一個(gè)連接,所述多個(gè)TFT中的每一個(gè)與所述多個(gè)源極總線中的一個(gè)以及所述多個(gè)柵極總線中的一個(gè)連接;
縫隙基板,其具有第二電介質(zhì)基板、和形成在所述第二電介質(zhì)基板的第一主面上并與所述多個(gè)貼片電極對(duì)應(yīng)配置的具有多個(gè)縫隙的縫隙電極,所述多個(gè)縫隙配置在所述發(fā)送接收區(qū)域;
液晶層,其至少在所述發(fā)送接收區(qū)域,設(shè)置在所述TFT基板與所述縫隙基板之間;
密封部,其包圍所述液晶層,并將所述TFT基板與所述縫隙基板相互粘合,所述密封部在所述非發(fā)送接收區(qū)域中,以至少包圍所述發(fā)送接收區(qū)域的方式配置;以及
反射導(dǎo)電板,其至少在所述發(fā)送接收區(qū)域,以隔著電介質(zhì)層與所述第二電介質(zhì)基板的與所述第一主面相反一側(cè)的第二主面對(duì)置的方式配置,
所述縫隙電極以隔著所述液晶層與所述多個(gè)貼片電極對(duì)應(yīng)的方式配置,
所述多個(gè)天線由所述多個(gè)貼片電極中的一個(gè)、包含所述縫隙電極中的多個(gè)縫隙之一的縫隙部分以及所述液晶層中的位于所述一個(gè)貼片電極與所述縫隙部分之間的部分構(gòu)成,
所述TFT基板以及所述縫隙基板中的任意一個(gè)基板,在被所述密封部所包圍的區(qū)域內(nèi),在相較于所述任意一個(gè)基板所具有的所述貼片電極或者所述縫隙電極更靠近所述液晶層一側(cè)具有由樹脂形成的突出層,
所述突出層被配置為與所述貼片電極以及所述多個(gè)縫隙均不重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掃描天線,其特征在于,
被所述密封部所包圍的區(qū)域包括所述發(fā)送接收區(qū)域的全部以及所述非發(fā)送接收區(qū)域的一部分,
所述突出層包含配置于所述發(fā)送接收區(qū)域的內(nèi)側(cè)突出層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掃描天線,其特征在于,
所述突出層的厚度為所述液晶層的最大厚度的20%以上且80%以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掃描天線,其特征在于,
所述突出層具有多個(gè)島狀突出部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掃描天線,其特征在于,
所述島狀突出部包含平面形狀為不規(guī)則形狀的島狀突出部。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掃描天線,其特征在于,
所述島狀突出部包含平面形狀為多角形或圓形的島狀突出部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掃描天線,其特征在于,
所述多個(gè)島狀突出部彼此相等。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掃描天線,其特征在于,
所述任意一個(gè)基板還具有多個(gè)柱狀間隔物,所述多個(gè)柱狀間隔物配置在所述TFT基板與所述縫隙基板之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掃描天線,其特征在于,
所述多個(gè)柱狀間隔物形成在所述突出層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掃描天線,其特征在于,
所述多個(gè)柱狀間隔物由與所述突出層相同的樹脂層形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掃描天線,其特征在于,
所述縫隙基板具有所述突出層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掃描天線,其特征在于,
所述縫隙基板具有所述突出層,
所述TFT基板還具有多個(gè)柱狀間隔物。
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