[發明專利]硫屬元素化物濺射靶及其制備方法有效
| 申請號: | 201780047776.0 | 申請日: | 2017-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN109563613B | 公開(公告)日: | 2021-11-19 |
| 發明(設計)人: | 邁克爾·R·品特 | 申請(專利權)人: | 霍尼韋爾國際公司 |
| 主分類號: | C23C14/06 | 分類號: | C23C14/06;C23C14/34;C22C1/05 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 馬蔚鈞;萬雪松 |
| 地址: | 美國新*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 元素 濺射 及其 制備 方法 | ||
1.一種物理氣相沉積設備,包括相變材料濺射靶,所述相變材料濺射靶包括:
主基質,所述主基質包含來自元素周期表的第VI族的除氧以外的至少一種元素和來自元素周期表的第IV族或第V族的一種或多種元素;以及
基本上均勻地分散在所述主基質中的至少一個附加相;其中所述濺射靶具有至少95%的理論值密度;和其中:
所述主基質包含砷和硒并且所述至少一個附加相包括鍺和硒相和硅相;
所述主基質包含砷、碲和鍺并且所述至少一個附加相包括硅相;或者
所述主基質包含砷和硒并且所述至少一個附加相包括鍺和碲相。
2.根據權利要求1所述的物理氣相沉積設備,其中所述相變材料濺射靶在所述主基質和所述附加相之間不含間隙。
3.根據權利要求1所述的物理氣相沉積設備,其中每個附加相是化合物或元素材料。
4.根據權利要求1所述的物理氣相沉積設備,其中所述濺射靶在濺射表面上的原子元素組成的變化小于1%。
5.一種形成相變材料濺射靶的方法,所述方法包括:
形成初級合金,所述初級合金包含來自元素周期表的第VI族的除氧以外的至少一種元素和來自元素周期表的第IV族或第V族的至少一種元素;
減小所述初級合金以形成合金粉末;
通過將所述合金粉末與附加的粉末組分共混來形成粉末混合物;以及
熱壓所述粉末混合物以形成濺射靶,其中所述粉末混合物在所述初級合金的玻璃化轉變溫度下熱壓。
6.根據權利要求5所述的方法,其中所述附加粉末是合金粉末或元素粉末。
7.根據權利要求5所述的方法,還包括:
形成第二合金,所述第二合金包含來自元素周期表的第VI族的除氧以外的至少一種元素和來自元素周期表的第IV族或第V族的至少一種元素;以及
減小所述第二合金以形成第二合金粉末,并且其中通過共混所述初級合金粉末、所述第二合金粉末和任選的一種或多種附加的粉末組分來形成粉末混合物。
8.根據權利要求7所述的方法,其中所述第二合金具有比所述初級合金高的硬度。
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