[發明專利]磁盤基板用鋁合金板及其制造方法、磁盤有效
| 申請號: | 201780047534.1 | 申請日: | 2017-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN109563572B | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發明(設計)人: | 北脅高太郎;村田拓哉;日比野旭;北村直紀;太田裕己;藤井康生;高橋英希;森高志 | 申請(專利權)人: | 株式會社UACJ;古河電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | C22C21/06 | 分類號: | C22C21/06;B21B1/00;C22C1/02;G11B5/73;G11B5/82;G11B5/84;C22F1/00;C22F1/047 |
| 代理公司: | 北京思益華倫專利代理事務所(普通合伙) 11418 | 代理人: | 郭紅麗 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁盤 基板用 鋁合金 及其 制造 方法 | ||
本發明提供鍍層形成后的鍍層表面平滑性優異、并且能夠以低成本制造的磁盤基板用鋁合金板等。本發明的磁盤基板用鋁合金板具有如下的組成:以質量%計,含有Mg:3.0~8.0%、Cu:0.002~0.150%、Zn:0.05~0.60%、Fe:0.001~0.060%、Si:0.001~0.060%、Be:0.00001~0.00200%、Cr:0.200%以下、Mn:0.500%以下和Cl:0.00300%以下,余量由Al和不可避免的雜質構成,在金屬組織中所觀察到的具有3~10μm的最長徑的Cr氧化物的存在密度為每磁盤的單面1個以下。
技術領域
本發明涉及鍍層形成后的鍍層表面平滑性優異的磁盤基板用鋁合金板及其制造方法、以及使用鋁合金板制作的磁盤。
背景技術
計算機的存儲裝置中使用的鋁合金制磁盤由具有良好的鍍覆性且機械特性、加工性優異的鋁合金基板制造。作為這樣的鋁合金基板,例如可列舉出JIS5086合金(包含Mg:3.5~4.5質量%、Fe≦0.50質量%、Si≦0.40質量%、Mn:0.20~0.70質量%、Cr:0.05~0.25質量%、Cu≦0.10質量%、Ti≦0.15質量%、Zn≦0.25質量%、余量為Al和不可避免的雜質);通過限制JIS5086合金中的作為雜質的Fe、Si等的含量而使基體中的金屬間化合物減少或者通過添加Cu、Zn,從而改善鍍覆性的鋁合金基板等。
一般的鋁合金制磁盤通過如下方法制造:首先,制作圓環狀鋁合金基板,對該圓環狀鋁合金基板實施鍍覆,其次,使磁性體附著于該基板表面。
通常,利用以下工序制造具有圓環狀鋁合金基板的磁盤。首先,對鋁合金進行鑄造,對其鑄塊進行熱軋,接下來實施冷軋。應予說明,根據需要實施退火,制作軋制材料。接下來,將該軋制材料沖切為圓環狀,并將多張沖切的圓環狀鋁合金板層疊,在該狀態下進行在從上、下加壓的同時實施退火、使其平坦化的加壓退火,然后,通過將層疊狀態解除,從而制作圓環狀鋁合金基板。
對于這樣制作的圓環狀鋁合金基板,作為前處理實施切削加工、研削加工、脫脂、蝕刻、鋅酸鹽處理(Zn置換處理),接下來,在實施了鋅酸鹽處理的圓環狀鋁合金基板的表面上,作為基底處理,采用非電解鍍覆法形成作為硬質非磁性金屬的Ni-P鍍層,對該Ni-P鍍層的表面實施拋光后,采用濺射法形成磁性層,制造磁盤。
近年來,對于磁盤,由于多媒體等的需求,要求大容量化和高密度化,在不久的將來,要實現面記錄密度2Tb/in2。而且,為了提高磁盤的記錄密度,認為在數據讀取時成為錯誤原因的磁盤表面的平滑性是必要的,為了使磁盤表面平滑,希望進一步減少在鍍層中容易產生的凹坑(孔),平滑地形成鍍層的表面。
作為鍍層中的凹坑的產生原因,已知在鋁合金基板表面存在的較大凹陷是原因之一,并判斷該較大凹陷是存在于基板表面的粗大的非金屬夾雜物、金屬間化合物等異物在研削加工、鍍覆前處理時脫落而產生的。
基于上述實際情況,近年來,強烈希望減少在鋁合金基板中存在的異物,并進行研究。在專利文獻1中記載了如下方法:提高鑄造中的凝固時的冷卻速度,使Al-Fe-Mn系、Mg-Si系的結晶物(金屬間化合物)微細化。
在制造鋁合金板時,一般以鋁原料錠作為主原料來調整熔融金屬,在鋁原料錠中含有各種雜質成分,其中,一般含有通常為0.0001質量%左右的氯(Cl)成分,有時還進一步在熔融金屬的成分調整中裝入鉻(Cr)原料,在該情況下,一般在Cr原料中含有通常為0.03質量%左右的Cr氧化物。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開昭56-105846號公報
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社UACJ;古河電氣工業株式會社,未經株式會社UACJ;古河電氣工業株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780047534.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





