[發明專利]下層抗反射膜形成用組合物有效
| 申請號： | 201780047416.0 | 申請日： | 2017-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN109564388B | 公開（公告）日： | 2022-11-11 |
| 發明（設計）人： | 仁川裕;高市哲正;河戶俊二;片山朋英 | 申請（專利權）人： | AZ電子材料(盧森堡)有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/09 | 分類號： | G03F7/09 |
| 代理公司： | 北京三幸商標專利事務所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 劉卓然 |
| 地址： | 盧森堡國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 下層 反射 形成 組合 | ||
1.一種下層抗反射膜形成用組合物，其包含聚合物A、聚合物B、分子量100～3,000的低分子交聯劑、以及溶劑，
所述聚合物A包含下述式(I)的重復單元、以及下述(II)的重復單元，
式中，
R1為氫、C1～6烷基、鹵素或者氰基，
R2為C1～6烷基、羥基、鹵素或者氰基，
p為0、1、2、3或4，
R3為氫、C1～6烷基、鹵素或者氰基，
R4為C1～6烷基、鹵素或者氰基，
q為0、1、2、3、4或5，
所述聚合物B包含在主鏈或者側鏈具有芳香族烴環的重復單元，
其中，所述聚合物B的重復單元由下述式(III)、式(IV)或者式(V)表示，
式中，
Ar1為直接結合鍵、C1～6烷基或者C6～14芳基，
Ar2為C6～14芳基，
R5以及R6分別獨立地為C1～6烷基、羥基、鹵素或者氰基，
r以及s分別獨立地為0、1、2、3、4或5，
由虛線包圍的C1、C2以及C3環中的至少1個是與相鄰的芳香族烴環P1進行縮合的芳香族烴環，并且
由虛線包圍的C4、C5以及C6環中的至少1個是與相鄰的芳香族烴環P2進行縮合的芳香族烴環；
式中，
X是直接結合鍵或者C1～6烷基，
R7、R8以及R9分別獨立地為氫、C1～6烷基、鹵素或者氰基，
R10為C1～6烷基、羥基、鹵素或者氰基，并且
t為0、1、2、3、4或5；
式中，
Ar3為無取代或者取代的C6～14芳基，取代基為C1～6烷基、羥基或者羧基，
Ar4為無取代或者取代的C6～14芳基，取代基為C1～6烷基、羥基或者羧基，
L1以及L2分別獨立地為直接結合鍵或者C1～6烷基。
2.根據權利要求1所述的下層抗反射膜形成用組合物，其中，R1為氫，R2為甲基或者羥基，p為0或1，R3為氫，R4為甲基，q為0或1。
3.根據權利要求1或2所述的下層抗反射膜形成用組合物，其中，在聚合物A的全部重復單元中，式(I)的重復單元所占的比例為70～95摩爾％，式(II)的重復單元所占的比例為5～30摩爾％。
4.根據權利要求1所述的下層抗反射膜形成用組合物，其中，所述低分子交聯劑的分子量為300～1,000。
5.根據權利要求1所述的下層抗反射膜形成用組合物，其中，所述低分子交聯劑由下述式(VI)表示，
在式(VI)中，L3為直接結合鍵、或者取代或無取代的C1～3的烷基，取代基為氫、甲基、C6～10的芳基、下述式(VII)或者下述式(VIII)，
R11為氫或者甲基。
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