[發(fā)明專利]用于自動(dòng)視覺缺陷檢查之后的電子裸片覆墨的系統(tǒng)和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780047349.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109564883A | 公開(公告)日: | 2019-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | E·R·特魯巴爾;B·W·帕克特;V·C·賽莫克;M·J·詹森;D·M·庫倫;J·E·巴頓;C·D·戈登 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 德克薩斯儀器股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;G01N21/88 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 趙志剛;趙蓉民 |
| 地址: | 美國(guó)德*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裸片 晶圓 鏡頭 計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì) 半導(dǎo)體器件 晶圓缺陷圖 缺陷檢查 視覺缺陷 映射信息 自動(dòng)視覺 布局圖 指令 | ||
1.一種提供半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括:
接收第一晶圓缺陷圖,其定義比較區(qū)域并標(biāo)識(shí)晶圓的視覺缺陷位置;
確定所述比較區(qū)域的格式,所述格式選自包括裸片到裸片、部分鏡頭到部分鏡頭和全鏡頭到全鏡頭的組;
如果比較格式不是裸片到裸片,則接收提供所述比較區(qū)域內(nèi)的裸片位置的映射信息;以及
提供標(biāo)識(shí)所述晶圓內(nèi)的裸片位置的晶圓布局圖。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述映射信息是從系統(tǒng)數(shù)據(jù)庫接收的,并且包括小裸片信息和偏移信息中的至少一個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括將所述晶圓布局圖和所述第一晶圓缺陷圖組合,以創(chuàng)建標(biāo)識(shí)所述晶圓上的有缺陷裸片的第一有缺陷裸片圖。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,還包括將所述第一有缺陷裸片圖轉(zhuǎn)換為探針測(cè)試系統(tǒng)可用的格式以形成第一文件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,所述第一文件具有.PPO格式。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,還包括將所述第一文件提供給所述探針測(cè)試系統(tǒng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,還包括將所述第一文件與由所述探針測(cè)試系統(tǒng)創(chuàng)建的第二文件組合以創(chuàng)建第三文件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,還包括利用所述第一文件和所述第三文件中的一個(gè)在所述晶圓上執(zhí)行裸片覆墨。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,還包括:
接收晶圓缺陷圖和相關(guān)聯(lián)的晶圓布局圖,所述晶圓缺陷圖包含具有已被標(biāo)識(shí)用于保護(hù)帶設(shè)置的缺陷類型的至少一個(gè)缺陷位置;
接收用于將保護(hù)帶施加于所述缺陷類型的規(guī)則;以及
對(duì)于具有所述缺陷類型的每個(gè)缺陷位置,基于所述規(guī)則標(biāo)記要報(bào)廢的周圍裸片以形成被應(yīng)用保護(hù)帶的有缺陷裸片圖。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,還包括在轉(zhuǎn)換所述第一有缺陷裸片圖之前將所述被應(yīng)用保護(hù)帶的有缺陷裸片圖合并到所述第一有缺陷裸片圖中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括合并針對(duì)所述晶圓的不同層創(chuàng)建的多個(gè)晶圓缺陷圖,以形成第一晶圓缺陷圖。
12.一種非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì),其具有程序指令的序列,當(dāng)由處理器執(zhí)行時(shí),所述程序指令執(zhí)行提供半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括:
接收第一晶圓缺陷圖,其定義比較區(qū)域并標(biāo)識(shí)晶圓的視覺缺陷位置;
確定所述比較區(qū)域的格式,所述格式選自包括裸片到裸片、部分鏡頭到部分鏡頭和全鏡頭到全鏡頭的組;
如果所述比較格式不是裸片到裸片,則接收提供所述比較區(qū)域內(nèi)的裸片位置的映射信息;以及
提供標(biāo)識(shí)所述晶圓內(nèi)的裸片位置的晶圓布局圖。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì),其中,所述方法還包括將所述晶圓布局圖和所述第一晶圓缺陷圖組合,以創(chuàng)建標(biāo)識(shí)所述晶圓上的有缺陷裸片的第一有缺陷裸片圖。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì),其中,所述方法還包括將所述第一有缺陷裸片圖轉(zhuǎn)換為探針測(cè)試系統(tǒng)可用的格式,以形成第一文件并將所述第一文件提供給所述探針測(cè)試系統(tǒng)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì),其中,所述方法還包括:
接收有缺陷裸片圖,所述有缺陷裸片圖標(biāo)識(shí)具有已被標(biāo)識(shí)用于保護(hù)帶設(shè)置的缺陷類型的至少一個(gè)缺陷位置;
接收用于將保護(hù)帶施加于所述缺陷類型的規(guī)則;
對(duì)于具有所述缺陷類型的每個(gè)缺陷位置,基于所述規(guī)則標(biāo)記要廢棄的周圍裸片以形成被應(yīng)用保護(hù)帶的有缺陷裸片圖;以及
在轉(zhuǎn)換所述第一有缺陷裸片圖之前,將所述被應(yīng)用保護(hù)帶的有缺陷裸片圖與所述第一有缺陷裸片圖合并。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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