[發(fā)明專利]半導體芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780047180.0
• 申請日: 2017-07-11
• 公開（公告）號: CN109564893B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發(fā)明（設計）人: 新保宏幸
• 申請（專利權）人: 株式會社索思未來
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/822;H01L21/8238;H01L27/04;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 高穎

1.一種半導體芯片，其特征在于，

所述半導體芯片具有第一塊和第二塊，

所述第一塊包括具有納米線FET即場效應晶體管的標準單元，所述第二塊包括納米線FET，

所述第一塊和所述第二塊所包括的納米線FET分別具有：

沿第一方向延伸的一條或并排設置的多條納米線；

一對焊盤，一對所述焊盤分別設在所述納米線的所述第一方向上的兩端且下表面位于比所述納米線的下表面低的位置上，并與所述納米線相連接；以及

柵極電極，所述柵極電極沿與所述第一方向垂直的第二方向延伸，且被設為在所述納米線的所述第一方向上的規(guī)定范圍內包圍所述納米線的周圍，

在所述第一塊和所述第二塊中，

所述納米線在所述第二方向上的布置中心間距是規(guī)定的第一中心間距的整數(shù)倍，

所述焊盤在所述第一方向上的布置中心間距是規(guī)定的第二中心間距的整數(shù)倍。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，

在所述第一塊和所述第二塊所包括的納米線FET中的至少一個所述納米線FET中，沿與所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向布置有多條所述納米線，

在所述第一塊和所述第二塊中，

所述納米線在所述第三方向上的布置中心間距是規(guī)定的納米線堆疊中心間距的整數(shù)倍。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，

在所述第一塊和所述第二塊中，

構成所述柵極電極的柵極布線和虛設柵極布線在所述第一方向上的布置中心間距是所述第二中心間距的整數(shù)倍。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，

所述標準單元在所述第二方向上的尺寸是所述第一中心間距的整數(shù)倍。

5.一種半導體芯片，其特征在于，

所述半導體芯片具有第一塊和第二塊，

所述第一塊包括具有納米線FET即場效應晶體管的標準單元，所述第二塊包括納米線FET，

所述第一塊和所述第二塊所包括的納米線FET分別具有：

沿第一方向延伸的一條或并排設置的多條納米線；

一對焊盤，一對所述焊盤分別設在所述納米線的所述第一方向上的兩端且下表面位于比所述納米線的下表面低的位置上，并與所述納米線相連接；以及

柵極電極，所述柵極電極沿與所述第一方向垂直的第二方向延伸，且被設為在所述納米線的所述第一方向上的規(guī)定范圍內包圍所述納米線的周圍，

在所述第一塊和所述第二塊所包括的納米線FET中的至少一個所述納米線FET中，沿與所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向布置有多條所述納米線，

在所述第一塊和所述第二塊中，

所述納米線在所述第二方向上的布置中心間距是規(guī)定的第一中心間距的整數(shù)倍，并且，在所述第三方向上的布置中心間距是規(guī)定的納米線堆疊中心間距的整數(shù)倍，

所述焊盤在所述第一方向上的布置中心間距是規(guī)定的第二中心間距的整數(shù)倍。

6.根據(jù)權利要求5所述的半導體芯片，其特征在于，

在所述第一塊和所述第二塊中，

構成所述柵極電極的柵極布線和虛設柵極布線在所述第一方向上的布置中心間距是規(guī)定的第二中心間距的整數(shù)倍。

7.根據(jù)權利要求5所述的半導體芯片，其特征在于，

所述標準單元在所述第二方向上的尺寸是所述第一中心間距的整數(shù)倍。