[發明專利]半導體功率模塊

有效

• 申請號: 201780034169.0
• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號: CN109417067B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 林健二;林口匡司
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L25/18;H02M7/48
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 范勝杰;曹鑫

1.一種半導體功率模塊，其特征在于，

包括：

絕緣基板，其具有一個表面和另一個表面；

輸出側端子，其配置于所述絕緣基板的所述一個表面側；

第1電源端子，其配置于所述絕緣基板的所述一個表面側；

第2電源端子，其以隔著所述絕緣基板與所述第1電源端子對置的方式配置于所述絕緣基板的所述另一個表面側，并被施加與施加于所述第1電源端子的電壓不同大小的電壓；

第1開關元件，其配置于所述絕緣基板的所述一個表面側，并與所述輸出側端子和所述第1電源端子電連接；和

第2開關元件，其配置于所述絕緣基板的所述一個表面側，并與所述輸出側端子和所述第2電源端子電連接，

所述輸出側端子具有比所述第1電源端子的厚度或者所述第2電源端子的厚度大的厚度。

2.根據權利要求1所述的半導體功率模塊，其中，

由所述輸出側端子、所述第1電源端子、所述第2電源端子、所述第1開關元件和所述第2開關元件構成半橋電路。

3.根據權利要求1所述的半導體功率模塊，其中，

流經所述第1電源端子的電流的方向和流經所述第2電源端子的電流的方向隔著所述絕緣基板為反向。

4.根據權利要求1所述的半導體功率模塊，其中，

所述第1電源端子是高電壓側端子，

所述第2電源端子是被施加比施加于所述第1電源端子的電壓低的電壓的低電壓側端子。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體功率模塊，其中，

所述半導體功率模塊進一步包括支承基板，所述支承基板具有與所述絕緣基板的所述一個表面對置并且對所述第1開關元件和所述第2開關元件進行支承的表面，從所述絕緣基板向所述絕緣基板的所述一個表面側隔開間隔來配置所述支承基板。

6.根據權利要求5所述的半導體功率模塊，其中，

所述支承基板具有位于所述表面的相反側的背面，

在所述支承基板的所述背面側設置有散熱部件。

7.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體功率模塊，其中，

所述絕緣基板具有5mm以下的厚度。

8.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體功率模塊，其中，

所述輸出側端子具有所述第1電源端子的厚度和所述第2電源端子的厚度的合計值以上的厚度。

9.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體功率模塊，其中，

在所述絕緣基板的所述一個表面側配置有多個所述第1開關元件，

在所述絕緣基板的所述一個表面側配置有多個所述第2開關元件。

10.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體功率模塊，其中，

所述半導體功率模塊進一步包括以使所述輸出側端子、所述第1電源端子和所述第2電源端子選擇性地露出的方式對所述絕緣基板進行密封的樹脂，

所述第1電源端子和所述第2電源端子與所述絕緣基板一同從所述樹脂露出。

11.根據權利要求10所述的半導體功率模塊，其中，

從所述樹脂露出的所述第1電源端子配置于從露出所述樹脂的所述絕緣基板的邊緣朝向內側隔開間隔的位置，

從所述樹脂露出的所述第2電源端子配置于從露出所述樹脂的所述絕緣基板的邊緣朝向內側隔開間隔的位置。

12.根據權利要求11所述的半導體功率模塊，其中，

從所述樹脂露出的所述第1電源端子的邊緣與從所述樹脂露出的所述絕緣基板的邊緣之間的距離被設定為2mm以上，

從所述樹脂露出的所述第2電源端子的邊緣與從所述樹脂露出的所述絕緣基板的邊緣之間的距離被設定為2mm以上。