[發明專利]保護膜形成用復合片及帶保護膜的半導體芯片的制造方法、以及半導體裝置的制造方法有效
| 申請號： | 201780025593.9 | 申請日： | 2017-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN109075047B | 公開（公告）日： | 2023-08-08 |
| 發明（設計）人： | 小橋力也;稻男洋一;米山裕之 | 申請（專利權）人： | 琳得科株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/301 | 分類號： | H01L21/301;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 張晶;謝順星 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 保護膜 形成 復合 半導體 芯片 制造 方法 以及 裝置 | ||
1.一種保護膜形成用復合片，其為在支撐片上形成能量射線固化性的保護膜形成用膜，所述保護膜形成用膜直接層疊在支撐片的非能量射線固化性的層上，且所述支撐片在所述支撐片的周緣部附近的區域具有遮光層。
2.根據權利要求1所述的保護膜形成用復合片，所述遮光層由印刷層構成。
3.一種帶保護膜的半導體芯片的制造方法，其包括：
對依次具備支撐片、能量射線固化性的保護膜形成用膜及半導體晶圓的層疊體的、所述半導體晶圓及所述保護膜形成用膜進行切割；
通過對被切割的保護膜形成用膜的、除周緣部附近的區域以外的所述半導體晶圓的粘貼區域部分照射能量射線，從而在所述支撐片上形成帶保護膜的半導體芯片；以及
拾取所述帶保護膜的半導體芯片，
所述保護膜形成用膜直接層疊在支撐片的非能量射線固化性的層上。
4.一種帶保護膜的半導體芯片的制造方法，其包括：
對依次具備支撐片、能量射線固化性的保護膜形成用膜及半導體晶圓的層疊體的、所述保護膜形成用膜的除周緣部附近的區域以外的所述半導體晶圓的粘貼區域部分照射能量射線；
在照射所述能量射線后，對所述半導體晶圓進行切割從而在所述支撐片上形成帶保護膜的半導體芯片；以及
拾取所述帶保護膜的半導體芯片，
所述保護膜形成用膜直接層疊在支撐片的非能量射線固化性的層上。
5.根據權利要求3或4所述的帶保護膜的半導體芯片的制造方法，其中，所述支撐片在所述支撐片的周緣部附近的區域具有遮光層。
6.根據權利要求3或4所述的帶保護膜的半導體芯片的制造方法，其包括隔著遮蔽板對所述保護膜形成用膜的除周緣部附近的區域以外的所述半導體晶圓的粘貼區域部分照射能量射線。
7.一種半導體裝置的制造方法，其包括：將利用權利要求3或4所述的方法而得到的帶保護膜的半導體芯片與基板連接。
8.一種半導體裝置的制造方法，其包括：將利用權利要求5所述的方法而得到的帶保護膜的半導體芯片與基板連接。
9.一種半導體裝置的制造方法，其包括：將利用權利要求6所述的方法而得到的帶保護膜的半導體芯片與基板連接。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
