[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201780021748.1
• 申請日: 2017-03-21
• 公開（公告）號: CN109075050B
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發明（設計）人: 栗原宏嘉;福本英樹
• 申請（專利權）人: 三井化學東賽璐株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 陳彥;李宏軒

本發明的半導體裝置的制造方法至少具備以下3個工序。工序(A)，準備結構體，所述結構體具備具有電路形成面的半導體晶片、以及貼合于上述半導體晶片的上述電路形成面側的粘著性膜(100)；工序(B)，將上述半導體晶片的與上述電路形成面側相反側的面進行背面研磨；工序(C)，對粘著性膜(100)照射紫外線之后從上述半導體晶片除去粘著性膜(100)。作為粘著性膜(100)，使用具備基材層(10)、以及設置于基材層(10)的一面側的紫外線固化型的粘著性樹脂層(20)的粘著性膜。而且，在粘著性膜(100)中，粘著性樹脂層(20)包含紫外線固化型粘著性樹脂，利用特定的方法測定得到的紫外線固化后的粘著性樹脂層(20)的表面的飽和帶電壓Vsubgt;1/subgt;為2.0kV以下。

技術領域

本發明涉及半導體裝置的制造方法。

背景技術

在半導體裝置的制造工序中，在將半導體晶片進行磨削的工序中，為了防止半導體晶片的損傷，在半導體晶片上粘貼有粘著性膜。

這樣的粘著性膜通常使用在基材膜上層疊紫外線固化型的粘著性樹脂層而成的膜。該粘著性膜通過照射紫外線，從而粘著性樹脂層交聯而粘著性樹脂層的粘著力降低，因此能夠從半導體晶片容易地剝離粘著性膜。

另一方面，在使用了這樣的粘著性膜的半導體裝置的制造工序中，從半導體晶片剝離粘著性膜時，有時會產生被稱為剝離帶電的靜電。有時由這樣的操作而產生的靜電會破壞半導體晶片上所形成的電路(靜電破壞)，或塵埃等異物會附著于半導體晶片上所形成的電路。

特別是，隨著近年來的半導體晶片的高密度化、配線的窄間距化，半導體晶片具有比以往更易于受到的靜電帶來的影響的傾向。

鑒于這樣的情況，近年來，對于半導體裝置的制造工序中用于防止半導體晶片損傷的粘著性膜，也要求進一步提高抗靜電性能。

作為關于這樣的半導體晶片加工用粘著性膜的技術，可舉出例如，專利文獻1(日本特開2011-210944號公報)所記載的技術。

專利文獻1中記載了一種抗靜電性半導體加工用粘著帶，其特征在于：是由基材膜和光固化型的粘著劑層構成的粘著帶，其在上述基材膜的至少一面具有含有導電性高分子的抗靜電層、以及在上述抗靜電層上的在基礎聚合物的分子內含有光固化性不飽和碳鍵的粘著劑層，紫外線固化前后的上述粘著劑層側的表面電阻率為1×10⁶～5×10¹²Ω/□，粘著劑層的厚度為20～250μm，將粘著帶貼合于硅鏡面晶片時的粘著劑層的紫外線固化后的90度剝離粘著力(按照JIS?Z?0237；剝離速度為50mm/min)為0.15～0.25N/25mm。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-210944號公報

發明內容

發明所要解決的課題

如上述背景技術的項目中所述那樣，近年來，對于半導體晶片加工用粘著性膜的靜電對策這樣的觀點所要求的技術水平越來越高。

關于專利文獻1所記載的那樣的現有的半導體晶片加工用粘著性膜，本發明人等發現了以下那樣的課題。

首先，本發明人等認識到專利文獻1所記載的粘著性膜在從半導體晶片剝離粘著性膜時，半導體晶片的電路形成面易于殘留粘著性膜的粘著成分，即易于發生殘膠，對半導體晶片表面的耐污染性差。

進一步，根據本發明人等的研究，明確了對于專利文獻1所記載的粘著性膜，如果為了抑制殘膠的發生而增加紫外線的照射量以提高粘著劑層的交聯度，則殘膠的發生被抑制而改善對半導體晶片表面的耐污染性，然而，此時抗靜電性惡化。