[發明專利]輥到輥原子層沉積設備和方法

在審

• 申請號: 201780020902.3
• 申請日: 2017-03-24
• 公開（公告）號: CN108884567A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 克里斯托弗·S·萊昂斯;比爾·H·道奇;約瑟夫·C·斯帕尼奧拉;格倫·A·杰里;艾美特·R·戈亞爾;羅納德·P·斯萬松;詹姆斯·N·多布斯
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: C23C16/54
• 分類號: C23C16/54;C23C16/455
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 梁曉廣;車文

1.一種方法，包括：

使基底的第一表面上的第一邊緣區域與第一支撐輥接合，其中所述第一支撐輥能夠在軸的第一端部上旋轉，并且其中所述基底的長度基本上大于所述基底的寬度；

使所述基底的所述第一表面上的第二邊緣區域與第二支撐輥接合，其中所述第二支撐輥能夠在所述軸的與其所述第一端部相反的第二端部上旋轉，并且其中位于所述第一輥與所述第二輥之間并且構成所述基底的寬度的至少約50％的中心區域不受輥支撐；

在所述第一支撐輥和所述第二支撐輥之上傳送所述基底；

重復下列步驟序列多次，以便足以在所述基底上形成薄膜：

(a)使所述基底暴露于第一前體；

(b)在將所述基底暴露于所述第一前體之后將反應性物質供應給所述基底以與所述第一前體反應；其中所述薄膜作為所述第一前體與所述反應性物質的反應產物形成；以及

將蒸氣沉積在所述薄膜上以在所述薄膜上形成涂層。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括在將所述蒸氣沉積在所述薄膜上之前冷卻所述基底。

3.根據權利要求1至2中任一項所述的方法，包括在將所述基底暴露于所述第一前體之前加熱所述基底。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中所述基底的與其所述第一表面相反的第二表面基本上不接觸所述反應性物質。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中將所述蒸氣沉積在所述薄膜上發生在所述薄膜接觸覆蓋所述基底的寬度的超過50％的固體表面之前。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中所述薄膜具有1nm至100nm的厚度。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中重復步驟在步驟(b)之后還包括(c)，使所述基底暴露于第二前體，以及(d)在將所述基底暴露于所述第二前體之后將反應性物質供應給所述基底。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，還包括將所述支撐輥中的至少一個相對于所述基底的運動方向成角度取向。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的方法，其中所述反應性物質通過向化學化合物施加能量來生成。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的方法，其中所述反應性物質通過將化學化合物引入等離子體中來生成。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的方法，其中所述薄膜通過原子層沉積來沉積。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括在沉積所述薄膜之前將蒸氣沉積在所述基底上以在所述基底的所述第一表面上形成涂層。

13.根據權利要求1至12中任一項所述的方法，還包括在將所述蒸氣沉積在所述基底上之前通過供應等離子體來預處理所述基底的所述第一表面。

14.根據權利要求1至12中任一項所述的方法，還包括使所述涂層固化在所述薄膜或所述基底的所述第一表面上。