[發明專利]待安裝于氣體面板上的用于半導體制造操作的氣體過濾器

有效

• 申請號: 201780020564.3
• 申請日: 2017-04-03
• 公開（公告）號: CN109069970B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 中村有希
• 申請（專利權）人: 恩特格里斯公司
• 主分類號: B01D46/00
• 分類號: B01D46/00;B01D46/10;B01D53/04;B01D53/22
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 顧晨昕

本發明揭示一種氣體過濾器，其包含外殼，所述外殼包含安裝部分及主要部分。所述安裝部分經配置以將所述氣體過濾器安裝于裝置的表面上。所述主要部分經配置以與所述裝置的所述表面隔開而定位且從所述安裝部分在水平方向上延伸。所述外殼具有入口及出口且界定所述入口與所述出口之間的流動通道。所述流動通道具有第一通道部分及第二通道部分，所述第一通道部分從所述入口延伸到所述第二通道部分，所述第二通道部分在實質上平行于所述水平方向的方向上延伸。過濾器部件定位于所述入口與所述出口之間的所述流動通道中。

相關申請案

本申請案依據35U.S.C.§119主張2016年4月7日申請的第62/319,498號美國臨時專利申請案的優先權的權利。第62/319,498號美國臨時專利申請案的揭示內容的全文為了全部目的以引用方式并入本文中。

背景技術

許多現今的制造工藝需要以受控制低速率及壓力輸送高純度氣體。在半導體制造操作中，晶片表面必須盡可能清潔且氣體的純度及流動速率必須被嚴密控制以避免晶片中的缺陷。在半導體產業中，在制造工藝(例如，蝕刻電路及清潔反應器容器)中利用高純度鹵化氫氣體及其它腐蝕性氣體。在半導體制造中，可經由氣體面板將氣體提供給過程反應器。所述氣體面板可包含各種組件(例如閥、壓力傳感器、過濾器及其它組件)以調節氣體流動且使氣體純化。

持續需要制備高純度過程氣體(例如鹵素及鹵化物氣體，其包含鹵化氫、非金屬鹵化物及有機鹵化物)以滿足半導體產業的純化需求。另外，需要在適配氣體面板的襯底塊的占據面積的同時最小化長度及高度的過濾器。

在半導體制造中，可經由氣體面板將氣體提供給過程反應器。所述氣體面板可包含各種組件(例如閥、壓力傳感器、過濾器及其它組件)以調節氣體流動且使氣體純化。第7,017,609號美國專利中描述包含流體控制裝置及管道塊的氣體供應單元，所述案的全文以引用方式并入本文中。美國專利第7,575,616號中描述低輪廓表面安裝過濾器，所述案的全文以引用的方式并入本文中。

發明內容

本文中揭示的實施例涉及用于從氣流移除雜質的過濾方法及過濾器。特定來說，實施例涉及可安裝于裝置的表面上且能夠放置于小位置內的氣體過濾器。

氣體過濾器的版本包含外殼，其包含安裝部分及主要部分。所述安裝部分經配置以將所述氣體過濾器安裝于裝置的表面上。所述主要部分經配置以與所述裝置的所述表面隔開而定位且從所述安裝部分在水平方向上延伸。所述外殼具有入口及出口且界定所述入口與所述出口之間的流動通道。所述流動通道具有第一通道部分及第二通道部分，所述第一通道部分從所述入口延伸到所述第二通道部分，所述第二通道部分在實質上平行于水平方向的方向上延伸。過濾器部件定位于所述入口與所述出口之間的所述流動通道中。

一種過濾氣體的方法，其包含將氣流引導通過一個版本的氣體過濾器且在所述過濾器部件處捕獲所述氣體內的雜質。

附圖說明

從如附圖中說明的實例實施例的以下更特別描述將明白上文，其中貫穿不同視圖，相同元件符號是指相同部分。所述圖式不一定按比例繪制，而是強調說明各種實施例。

圖1A是說明包含常規氣體過濾器的制造工藝中的氣體流動的示意圖。

圖1B是說明包含氣體過濾器的實例版本的制造工藝中的氣體流動的示意圖。

圖2A是安裝于裝置上的實例氣體過濾器的透視圖。

圖2B是圖2A的所述氣體過濾器的截面圖。

圖3A到3E分別是實例氣體過濾器的側視圖、俯視圖、仰視圖、后視圖及前視圖。

圖4A到4E分別是實例氣體過濾器的截面圖、俯視圖、仰視圖、后視圖及前視圖。

圖4F是圖4A的所述氣體過濾器的細節圖。