[發明專利]醇的制造方法在審
| 申請號： | 201780020156.8 | 申請日： | 2017-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN108884007A | 公開（公告）日： | 2018-11-23 |
| 發明（設計）人： | 石原大輔;椿范立;米山嘉治 | 申請（專利權）人： | 花王株式會社 |
| 主分類號： | C07C29/00 | 分類號： | C07C29/00;B01J23/75;B01J35/10;B01J37/02;B01J37/08;C07C31/125;C07C33/02;C07B61/00 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 催化劑 制造 碳原子數 雙峰 表面形成 步驟選擇 多孔質層 多孔質體 合成氣體 細孔分布 一氧化碳 長鏈醇 氫反應 表壓 擔載 | ||
1.一種碳原子數為8以上22以下的醇的制造方法，其中，
包括以下的工序，
工序1：在孔徑形態為30nm以上200nm以下的多孔質體的表面形成多孔質層，得到雙峰載體的工序；
工序2：使鈷擔載于所述工序1中得到的雙峰載體上，得到細孔分布中在1nm以上25nm以下的區域和30nm以上200nm以下的區域分別具有峰的催化劑的工序；
工序3：在所述工序2中得到的催化劑的存在下，在表壓為2MPa以上100MPa以下使一氧化碳和氫反應的工序。
2.如權利要求1所述的碳原子數為8以上22以下的醇的制造方法，其中，
所述多孔質層含有選自硅酸鹽、氧化硅、氧化鋁和氧化鋯中的1種或2種以上。
3.如權利要求1或2所述的碳原子數為8以上22以下的醇的制造方法，其中，
工序1包括以下的工序，
工序1-1：使含有所述多孔質層的原料的分散液或溶液擔載于所述多孔質體的工序；
工序1-2：對所述工序1-1中在所述多孔質體上擔載有所述分散液或溶液的物質進行燒成的工序。
4.如權利要求1～3中任意一項所述的碳原子數為8以上22以下的醇的制造方法，其中，
所述多孔質體具有氧化硅。
5.如權利要求1～4中任意一項所述的碳原子數為8以上22以下的醇的制造方法，其中，
所述工序3的反應溫度為100℃以上300℃以下。
6.如權利要求1～5中任意一項所述的碳原子數為8以上22以下的醇的制造方法，其中，
所述催化劑的細孔分布中，1nm以上25nm以下的區域中的細孔分布的峰位置在4nm以上14nm以下。
7.如權利要求1～6中任意一項所述的碳原子數為8以上22以下的醇的制造方法，其中，
所述催化劑的細孔分布中，30nm以上200nm以下的區域中的細孔分布的峰位置在40nm以上。
8.如權利要求1～7中任意一項所述的碳原子數為8以上22以下的醇的制造方法，其中，
所述工序3的所述反應的表壓為4MPa以上。
9.一種催化劑的制造方法，其中，
是碳原子數為8以上22以下的醇的制造中使用的催化劑的制造方法，
所述碳原子數為8以上22以下的醇的制造包括在表壓2MPa以上100MPa以下使一氧化碳和氫反應的工序，
所述催化劑的制造方法包括以下的工序，
工序1：在孔徑形態為30nm以上200nm以下的多孔質體的表面形成多孔質層，得到雙峰載體的工序；
工序2：使鈷擔載于所述工序1中得到的雙峰載體上，得到細孔分布中在1nm以上25nm以下的區域和30nm以上200nm以下的區域分別具有峰的催化劑的工序。
10.如權利要求9所述的催化劑的制造方法，其中，
所述多孔質層含有選自硅酸鹽、氧化硅、氧化鋁和氧化鋯中的1種或2種以上。
11.如權利要求9或10所述的催化劑的制造方法，其中，
工序1包括以下的工序，
工序1-1：使含有所述多孔質層的原料的分散液或溶液擔載于所述多孔質體的工序；
工序1-2：對所述工序1-1中在所述多孔質體上擔載有所述分散液或溶液的物質進行燒成的工序。
12.如權利要求9～11中任意一項所述的催化劑的制造方法，其中，
所述多孔質體具有氧化硅。
13.如權利要求9～12中任意一項所述的催化劑的制造方法，其中，
所述催化劑的細孔分布中，1nm以上25nm以下的區域中的細孔分布的峰位置在4nm以上14nm以下。
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