[發明專利]存儲元件和存儲元件的制造方法

有效

• 申請號: 201780019005.0
• 申請日: 2017-03-06
• 公開（公告）號: CN108886022B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 伊藤琢哉;嵯峨幸一郎
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H10B61/00
• 分類號: H10B61/00;H10N50/10;H10N50/01;H01L29/82
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 韓曉薇

1.一種存儲元件，包括：

排列在基板上的多個磁阻元件，所述多個磁阻元件具有MTJ結構，

其中，在所述磁阻元件中用作存儲層的磁性材料層的、除了用作所述磁阻元件的區域之外的區域中存在磁性被中和的區域，并且

所述磁性被中和的區域包括合金，所述合金包含構成所述磁性材料層的第一元素以及當與第一元素形成合金時具有fcc結構的第二元素。

2.根據權利要求1所述的存儲元件，

其中，第二元素是Ni、Al、Au、Pt或Mn。

3.根據權利要求1所述的存儲元件，

其中，在所述磁性材料層的除了正上方設置有蓋層的區域之外的區域中存在所述磁性被中和的區域。

4.根據權利要求1所述的存儲元件，

其中，所述磁性被中和的區域的導電性低于所述磁性材料層的另一區域的導電性。

5.根據權利要求1所述的存儲元件，

其中，在MTJ結構中，用作存儲層的磁性材料層位于比用作磁化固定層的磁性材料層更高的層中。

6.根據權利要求1所述的存儲元件，

其中，在MTJ結構中，用作存儲層的磁性材料層位于比用作磁化固定層的磁性材料層更低的層中。

7.一種存儲元件的制造方法，包括：

在具有MTJ結構的磁阻元件中用作存儲層的磁性材料層的、除了用作所述磁阻元件的區域之外的區域中形成磁性被中和的區域的步驟，

其中形成所述磁性被中和的區域的步驟包括：

將包括第二元素的膜沉積在所述磁性材料層上的預定區域中的步驟，所述第二元素當與構成所述磁性材料層的第一元素形成合金時具有fcc結構，以及

通過進行熱處理以使第一元素和第二元素相互擴散并在所述預定區域中形成包含第一元素和第二元素的合金來在所述預定區域中形成所述磁性被中和的區域的步驟。

8.根據權利要求7所述的存儲元件的制造方法，

其中，第二元素是Ni、Al、Au、Pt或Mn。

9.根據權利要求7所述的存儲元件的制造方法，

其中，在將包括第二元素的膜沉積在所述磁性材料層上的步驟中，在將用作掩膜的層形成在所述磁性材料層上用作所述磁阻元件的區域中之后，沉積包括第二元素的膜。

10.根據權利要求9所述的存儲元件的制造方法，

其中，在MTJ結構中，用作存儲層的磁性材料層位于比用作磁化固定層的磁性材料層更高的層中，并且

用作掩膜的層是蓋層。

11.根據權利要求7所述的存儲元件的制造方法，在形成所述磁性被中和的區域的步驟之后還包括：

使所述磁性被中和的區域氧化以使得所述磁性被中和的區域的導電性低于所述磁性材料層的用作存儲層的另一區域的導電性的步驟。

12.根據權利要求7所述的存儲元件的制造方法，

其中，在MTJ結構中，用作存儲層的磁性材料層位于比用作磁化固定層的磁性材料層更高的層中。

13.根據權利要求7所述的存儲元件的制造方法，

其中，在MTJ結構中，用作存儲層的磁性材料層位于比用作磁化固定層的磁性材料層更低的層中。