[發明專利]基板處理方法及基板處理裝置有效
| 申請號: | 201780014355.8 | 申請日: | 2017-02-14 |
| 公開(公告)號: | CN108713239B | 公開(公告)日: | 2023-02-14 |
| 發明(設計)人: | 宗德皓太 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/304 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 方法 裝置 | ||
1.一種基板處理方法,用于從在表面上形成有具有硬化層的抗蝕劑的基板上去除該抗蝕劑,其中,所述基板處理方法包括:
基板保持工序,保持所述基板;以及
抗蝕劑剝離工序,對用于混合多種流體生成液滴并具有殼體的多流體噴嘴供給臭氧氣體與過熱水蒸氣,并且,在所述多流體噴嘴的所述殼體的內部,使臭氧氣體與過熱水蒸氣混合,通過臭氧氣體冷卻該過熱水蒸氣而生成臭氧水的液滴,將含有所生成的臭氧水的液滴的、臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體,從所述多流體噴嘴向所述基板的表面噴出,由此從所述基板的表面上剝離所述抗蝕劑。
2.根據權利要求1所述的基板處理方法,其中,對所述多流體噴嘴供給的臭氧氣體為常溫。
3.根據權利要求1或2所述的基板處理方法,其中,所述基板處理方法還包括:抗蝕劑殘渣去除工序,對所述多流體噴嘴供給處理液,從所述多流體噴嘴向剝離了所述抗蝕劑的所述基板的表面噴出所述處理液,由此從所述基板的表面上去除抗蝕劑殘渣。
4.根據權利要求3所述的基板處理方法,其中,所述抗蝕劑殘渣去除工序還包括:處理液液滴噴出工序,將所述處理液與過熱水蒸氣供給至所述多流體噴嘴,由此向所述基板的表面噴出所述處理液的液滴。
5.如權利要求3所述的基板處理方法,其中,所述處理液包括藥液。
6.一種基板處理裝置,其中,所述基板處理裝置包括:
基板保持單元,保持基板,在所述基板的表面上形成有具有硬化層的抗蝕劑;
多流體噴嘴,用于混合多種流體并生成液滴,向所述基板的表面噴出生成的所述液滴,并具有殼體;
臭氧氣體供給單元,用于對所述多流體噴嘴供給臭氧氣體;
過熱水蒸氣供給單元,用于對所述多流體噴嘴供給過熱水蒸氣;以及
控制裝置,控制所述臭氧氣體供給單元與所述過熱水蒸氣供給單元,
所述控制裝置執行抗蝕劑剝離工序,所述抗蝕劑剝離工序中,對所述多流體噴嘴供給臭氧氣體與過熱水蒸氣,并且,在所述多流體噴嘴的所述殼體的內部,使臭氧氣體與過熱水蒸氣混合,通過臭氧氣體冷卻該過熱水蒸氣而生成臭氧水的液滴,將含有所生成的臭氧水的液滴的、臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體,從所述多流體噴嘴向所述基板的表面噴出,由此從所述基板的表面上剝離所述抗蝕劑。
7.根據權利要求6所述的基板處理裝置,其中,從所述臭氧氣體供給單元對所述多流體噴嘴供給的臭氧氣體為常溫。
8.根據權利要求6或7所述的基板處理裝置,其中,所述基板處理裝置還包括:處理液供給單元,用于對所述多流體噴嘴供給處理液,
所述控制裝置的控制對象還包含所述處理液供給單元,
所述控制裝置還執行:抗蝕劑殘渣去除工序,對所述多流體噴嘴供給所述處理液,從所述多流體噴嘴向剝離了所述抗蝕劑的所述基板的表面噴出所述處理液,由此從所述基板的表面上去除抗蝕劑殘渣。
9.根據權利要求8所述的基板處理裝置,其中,所述控制裝置執行所述抗蝕劑殘渣去除工序所包含的處理液液滴噴出工序,所述處理液液滴噴出工序中,對所述多流體噴嘴供給所述處理液與過熱水蒸氣,由此向所述基板的表面噴出所述處理液的液滴。
10.根據權利要求8所述的基板處理裝置,其中,所述處理液包括藥液。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





