[發明專利]經注入的光致抗蝕劑的剝離處理方法

有效

• 申請號: 201780013042.0
• 申請日: 2017-02-24
• 公開（公告）號: CN108701586B
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 劉維華;康俊彥;維賈伊·M·瓦尼亞普拉;哈伊-奧·M·潘-武;馬紹銘
• 申請（專利權）人: 瑪特森技術公司;北京屹唐半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/47;H01L21/311;H01L21/3213
• 代理公司: 北京易光知識產權代理有限公司 11596
• 代理人: 崔曉光

1.一種從襯底去除光致抗蝕劑的方法，包括：

將襯底放置到處理室中，所述襯底具有本體光致抗蝕劑以及在所述本體光致抗蝕劑上形成的硬殼；

在所述處理室中開始第一剝離處理；

在所述第一剝離處理期間使用與等離子體相關聯的光發射信號,其中所述光發射信號包括高發射階段，所述高發射階段之后是到低發射階段的下降，相對于所述低發射階段，所述高發射階段與較高的光發射相關聯；

至少部分地基于所述光發射信號來識別與所述硬殼的至少一部分的去除相關聯的終點,其中所述終點對應于所述光發射信號中的表示所述硬殼的頂部的去除的點，并且所述光發射信號中的表示所述硬殼的頂部的去除的所述點位于所述光發射信號的所述高發射階段期間出現的局部最小值的閾值以內；

至少部分地基于所述終點來終止所述第一剝離處理；以及

開始第二剝離處理以從所述襯底去除所述光致抗蝕劑。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一剝離處理能夠操作用于從所述本體光致抗蝕劑去除所述硬殼的至少一部分。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二剝離處理能夠操作用于去除所述本體光致抗蝕劑的至少一部分。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第一剝離處理是將所述襯底暴露于所述處理室中誘發的等離子體的等離子體剝離處理。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第二剝離處理是濕法剝離處理。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述光發射信號與在300nm至800nm范圍內的一個或更多個波長相關聯。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述終點對應于所述光發射信號中的表示所述硬殼的去除的點。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述光發射信號中的表示所述硬殼的去除的所述點位于所述光發射信號中的從所述高發射階段下降之后的局部最小值的閾值以內。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法包括在所述第二剝離處理之后執行后續處理過程。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述后續處理過程包括退火過程。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，所述硬殼是在離子注入過程期間形成的。

12.一種用于從襯底去除光致抗蝕劑的方法，包括：

將襯底放置到等離子體處理室中，所述襯底具有本體光致抗蝕劑以及在所述本體光致抗蝕劑層上形成的硬殼；

在所述等離子體處理室中開始等離子體剝離處理；

在與光發射信號中的表示所述硬殼的去除的點對應的終點處，終止所述等離子體剝離處理，其中所述光發射信號包括高發射階段，所述高發射階段之后是到低發射階段的下降，相對于所述低發射階段，所述高發射階段與較高的光發射相關聯，并且其中在所述光發射信號中的表示所述硬殼的去除的所述點位于所述光發射信號中的從所述高發射階段下降之后的局部最小值的閾值以內；以及

在終止所述等離子體剝離處理之后，開始濕法剝離處理以從所述襯底去除所述本體光致抗蝕劑。

13.一種用于從襯底去除光致抗蝕劑的剝離方法，包括：

將襯底放置到等離子體處理室中，所述襯底具有本體光致抗蝕劑以及在所述本體光致抗蝕劑層上形成的硬殼；

在所述等離子體處理室中開始等離子體剝離處理；

在與光發射信號中的表示所述硬殼的頂部的去除的點對應的終點處，終止所述等離子體剝離處理，其中所述光發射信號包括高發射階段，所述高發射階段之后是到低發射階段的下降，相對于所述低發射階段，所述高發射階段與較高的光發射相關聯，并且其中所述光發射信號中的表示所述硬殼的去除的所述點位于所述高發射階段期間的局部最小值的閾值以內；以及

在終止所述等離子體剝離處理之后，開始濕法剝離處理以從所述襯底去除所述本體光致抗蝕劑和所述硬殼的剩余部分。