[發(fā)明專利]用于化學拋光的系統(tǒng)、裝置和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780010487.3 | 申請日: | 2017-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN108604549B | 公開(公告)日: | 2023-09-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | B·C·加嘎納坦;R·巴賈杰 | 申請(專利權(quán))人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/321 | 分類號: | H01L21/321;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/461 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 金紅蓮;侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 化學拋光 系統(tǒng) 裝置 方法 | ||
本發(fā)明的實施例提供一種使用流體網(wǎng)絡平板組件的用于化學拋光基板的系統(tǒng)、裝置和方法,所述流體網(wǎng)絡平板組件包含:墊,所述墊具有多個流體開口;多個流體通道的網(wǎng)絡,每個通道與至少一個流體開口流體地連通;多個入口,每個入口耦合至不同的流體通道;以及出口,所述出口耦合至未耦合至入口的所述流體通道中的一個。公開了多個附加的方面。
相關申請
本申請要求2016年2月8日提交的題為“SYSTEMS,APPARATUS,AND?METHODS?FORCHEMICAL?POLISHING(用于化學拋光的系統(tǒng)、裝置和方法)”(案卷號23560/L)的美國臨時專利申請序列號62/292,850的優(yōu)先權(quán),其公開內(nèi)容通過引用整體結(jié)合于此。
技術領域
本發(fā)明涉及基板拋光,并且更具體地涉及化學拋光的系統(tǒng)、裝置和方法。
背景技術
現(xiàn)有的化學機械拋光(CMP)材料移除方法使用機械向下力以產(chǎn)生基板與拋光墊之間的摩擦。移除材料傳統(tǒng)上以每分鐘1500nm下降至每分鐘400nm的數(shù)量級的速率執(zhí)行。然而,降低材料移除速率低于每分鐘20nm超出現(xiàn)有CMP工具的能力,這主要取決于為了造成任何材料移除所需的應用至基板的最小向下力。允許產(chǎn)生越來越小的器件的改進器件形成技術獲益于較低的移除速率可允許的加強控制,但以現(xiàn)有CMP工具而言是不可能的。因此,所需要的是不依賴機械向下力量的用于化學拋光的方法及裝置。
發(fā)明內(nèi)容
在一些實施例中,本發(fā)明提供一種流體網(wǎng)絡平板組件,包含:墊,該墊具有多個流體開口;多個流體通道的網(wǎng)絡,每個通道與至少一個流體開口流體連通;多個入口,每個入口耦合至不同的流體通道;以及出口,該出口耦合至未耦合至入口的流體通道中的一個。
在其他實施例中,本發(fā)明提供一種用于拋光基板的化學拋光系統(tǒng)。該系統(tǒng)包含:拋光頭;軌道致動器;以及流體網(wǎng)絡平板組件,該流體網(wǎng)絡平板組件耦合至軌道致動器并且設置在拋光頭下方,其中流體網(wǎng)絡平板組件包含:墊,該墊具有多個流體開口;多個流體通道的網(wǎng)絡,每個通道與至少一個流體開口流體連通;多個入口,每個入口耦合至不同的流體通道;以及出口,該出口耦合至未耦合至入口的流體通道中的一個。
在又一其他實施例中,本發(fā)明提供一種拋光基板的方法。該方法包含以下步驟:提供化學拋光系統(tǒng),包含流體網(wǎng)絡平板組件,該流體網(wǎng)絡平板組件具有多個流體通道的網(wǎng)絡,每一通道與墊中的至少一個流體開口流體連通,該墊耦合至流體網(wǎng)絡平板組件;經(jīng)由流體網(wǎng)絡平板組件將基板暴露至第一化學溶液的薄膜;經(jīng)由流體網(wǎng)絡平板組件使用去離子水的第一薄膜漂洗基板;經(jīng)由流體網(wǎng)絡平板組件將基板曝露至第二化學溶液的薄膜;以及經(jīng)由流體網(wǎng)絡平板組件使用去離子水的第二薄膜漂洗基板。
由下方詳細的說明書、所附權(quán)利要求書、以及通過圖示若干包括用于實現(xiàn)本發(fā)明預期的最佳模式的示例性實施例及實現(xiàn),本發(fā)明的其他特征、方面、及優(yōu)點將變得更完全地顯而易見。本發(fā)明的實施例也可以能夠有其他及不同的應用,并且可在多種方面修改其若干細節(jié),而全不背離本發(fā)明的精神及范圍。因此,附圖及說明書應視為本質(zhì)上是圖示,而非限制。附圖不必案比例繪制。說明書意圖涵蓋落入權(quán)利要求書的精神及范圍內(nèi)的所有修改、等效及替代物。
附圖說明
圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的透視視圖,描繪化學拋光系統(tǒng)的示例性實施例。
圖2A至2C是根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖1的示例性實施例的頂部、前方、及復合的橫截面視圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖1的示例性實施例的分解頂部透視視圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖1的示例性實施例的分解底部透視視圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖1的示例性實施例的墊的透視視圖。
圖6A-6C是根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖1的示例性實施例的頂部甲板平板的頂部、前方、及透視視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





