[發明專利]氮化硅燒結基板、氮化硅燒結基板片、回路基板和氮化硅燒結基板的制造方法

有效

• 申請號: 201780008097.2
• 申請日: 2017-03-24
• 公開（公告）號: CN108495831B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 今村壽之;藤田卓;加賀洋一郎;手島博幸;濱吉繁幸
• 申請（專利權）人: 日立金屬株式會社
• 主分類號: H05K1/03
• 分類號: H05K1/03;C04B35/587;C04B35/64
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發明提供一種大型氮化硅燒結基板及其制造方法。該氮化硅燒結基板具有比1邊為120mm的正方形更大的形狀的主面(101a)，主面(101a)的中央部的密度dc與端部的密度de的比dc/de為0.98以上，主面(101a)的中央部的空隙率vc為1.80％以下，端部的空隙率ve為1.00％以下。優選上述中央部的密度dc為3.120g/cm³以上，上述端部的密度de為3.160g/cm³以上，上述中央部的空隙率vc與上述端部的空隙率ve的比ve/vc為0.50以上。

技術領域

本發明涉及氮化硅燒結基板、氮化硅燒結基板片、回路基板和氮化硅燒結基板的制造方法。

背景技術

近年來，電源模塊、LED等大功率電子回路已被用于各種用途，并且需要用于這樣的回路的組裝等的絕緣性基板。這樣的絕緣性基板通常使用陶瓷基板。特別而言，氮化硅燒結基板具有優異的機械強度。例如，專利文獻1公開了一種低介電常數、氣密性和生產率高的氮化硅燒結基板。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平6－24850號公報

發明內容

發明所要解決的課題

在上述的用途中，有時需要大型的絕緣性基板。另外，為了使獲取數量變多而提高生產率，需要實現大型的氮化硅燒結基板。本發明提供大型的氮化硅燒結基板、氮化硅燒結基板片、回路基板和氮化硅燒結基板的制造方法。

用于解決課題的方法

本發明的一個實施方式的氮化硅燒結基板具有比1邊為120mm的正方形更大的形狀的主面，上述主面的中央部的密度dc與端部的密度de的比dc/de為0.98以上，上述主面的中央部的空隙率vc為1.80％以下，端部的空隙率ve為1.00％以下。

上述中央部的密度dc為3.120g/cm³以上，上述端部的密度de為3.160g/cm³以上，上述中央部的空隙率vc與上述端部的空隙率ve的比ve/vc可以為0.50以上。

上述中央部的密度dc為3.140g/cm³以上，上述端部的密度de為3.160g/cm³以上，上述中央部的空隙率vc可以為1.3％以下。

氮化硅燒結基板的由達到10pC的放電電荷量時的電壓值定義的局部放電起始電壓可以為4.0kV以上。

氮化硅燒結基板的由達到10pC的放電電荷量時的電壓值定義的局部放電起始電壓可以為5.0kV以上。

氮化硅燒結基板可以具有0.15mm以上2.0mm以下的厚度。

上述主面可以具有1邊為250mm的正方形或比其小的形狀。

氮化硅燒結基板的碳含量可以為0.20質量％以下。

氮化硅燒結基板的上述主面可以具有比150mm×170mm的長方形更大的形狀。

本發明的一個實施方式的多個氮化硅燒結基板片從上述任意處所記載的氮化硅燒結基板分割。

本發明的一個實施方式的回路基板是使用上述任意處所記載的氮化硅燒結基板的回路基板，具有8.0kV以上的絕緣擊穿耐受電壓和6以上的絕緣擊穿耐受電壓的威布爾系數。

上述主面可以具有1邊為220mm的正方形或比其小的形狀，具有10以上的絕緣擊穿耐受電壓的威布爾系數。