[發明專利]銅的微蝕刻劑及電路基板的制造方法有效
| 申請號： | 201780002281.6 | 申請日： | 2017-02-08 |
| 公開（公告）號： | CN107849705B | 公開（公告）日： | 2019-03-22 |
| 發明（設計）人： | 松本啟佑 | 申請（專利權）人： | MEC股份有限公司 |
| 主分類號： | C23F1/18 | 分類號： | C23F1/18;H01L21/306;H01L21/308;H05K3/38 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人： | 董佳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 路基 制造 方法 | ||
1.一種微蝕刻劑，其特征在于用于銅的表面粗化的銅的微蝕刻劑，且為含有無機酸、銅(II)離子源、鹵化物離子源、硫酸根離子源及聚合物的酸性水溶液；
前述聚合物為側鏈含有胺基或季銨基的重均分子量為1000以上的水溶性聚合物。
2.根據權利要求1所述的微蝕刻劑，其特征在于前述銅(II)離子源的摩爾濃度為0.05摩爾/L以上。
3.根據權利要求1或2所述的微蝕刻劑，其特征在于前述鹵化物離子源的摩爾濃度為0.01摩爾/L至4摩爾/L。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的微蝕刻劑，其特征在于前述銅(II)離子源的摩爾濃度為前述鹵化物離子源的摩爾濃度的0.2倍以上。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的微蝕刻劑，其特征在于前述硫酸根離子源的摩爾濃度為0.02摩爾/L以上。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的微蝕刻劑，其特征在于含有選自由硫酸及鹽酸所組成的群組中的1種以上作為前述無機酸。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的微蝕刻劑，其特征在于前述聚合物的濃度為0.002g/L至1g/L。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的微蝕刻劑，其特征在于前述聚合物為陽離子性聚合物。
9.一種電路基板的制造方法，其特征在于含有銅層的電路基板的制造方法；
具有粗化處理工序，使如權利要求1至8中任一項所述的微蝕刻劑接觸銅層的表面而對前述銅層的表面進行粗化。
10.根據權利要求9所述的電路基板的制造方法，其特征在于前述銅層與前述微蝕刻劑接觸的面的表面由壓延銅所構成。
11.根據權利要求9或10所述的電路基板的制造方法，其特征在于于前述粗化處理工序中，將由含有無機酸、鹵化物離子源及聚合物的酸性水溶液所構成的補給液添加至前述微蝕刻劑；
前述補給液中的前述聚合物為側鏈含有胺基或季銨基的重均分子量為1000以上的水溶性聚合物。
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