[實用新型]納米粉體制備裝置有效
| 申請號: | 201721901244.2 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN207951384U | 公開(公告)日: | 2018-10-12 |
| 發明(設計)人: | 樊海芳 | 申請(專利權)人: | 中納電子科技江蘇有限公司 |
| 主分類號: | B01J3/04 | 分類號: | B01J3/04;B01J19/08;B82Y40/00;C23C8/12;C04B35/581;C04B35/626 |
| 代理公司: | 江蘇圣典律師事務所 32237 | 代理人: | 賀翔 |
| 地址: | 214251 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空反應 納米粉體制備裝置 本實用新型 激光發射器 水平軌道 制備 生產成本低 氧氣通入口 托盤 氬氣 水平滑動 透光結構 通入口 側壁 粉體 | ||
本實用新型提供了一種納米粉體制備裝置,包括內部設有托盤的真空反應箱體和位于真空反應箱體上方的激光發射器;所述的真空反應箱體上方為透光結構,側壁開有氬氣通入口,底部開有氧氣通入口。所述的激光發射器通過水平軌道安裝在真空反應箱體上方,沿水平軌道在真空反應箱體上方水平滑動。本實用新型裝置簡單,制備方便,生產成本低,制備出的粉體均勻。
技術領域
本實用新型涉及材料制備領域,具體是一種納米粉體制備裝置。
背景技術
由于獨特的尺寸效應,納米粉體材料往往具有許多新穎的物理化學性質,并在多個領域表現出了良好的應用。
比如,氮化鋁(AlN)陶瓷在陶瓷材料中,具有熱導率高、熱膨脹系數小、介電常數低、強度高、化學性質穩定的優點,是公認的高密度、大功率和高速集成電路基板和封裝的理想材料,在國防航空、通訊、電子元器件等領域前景光明。而AlN陶瓷材料的制備工藝和實用性能均受到粉體特性的直接影響,要獲得高性能的AlN陶瓷,必須有純度高、燒結活性好的粉體作為原料。
傳統的鋁粉直接氮化法要將Al粉在氮氣中加熱反應,不僅生產成本高,而且氮化鋁粉末純度低、產物易結塊、反應不完全,難以制出粒度均勻、高純度、細粒度的粉末,無法滿足制備高性能AlN陶瓷對原料粉末的要求。
實用新型內容
本實用新型為了解決現有技術的問題,提供了一種納米粉體制備裝置,裝置簡單,制備方便,生產成本低,制備出的粉體均勻。
本實用新型包括內部設有托盤的真空反應箱體和位于真空反應箱體上方的激光發射器;所述的真空反應箱體連接有抽真空機,真空反應箱體上方為透光結構,側壁開有氬氣通入口,底部開有氧氣通入口。
所述的激光發射器通過水平軌道安裝在真空反應箱體上方,沿水平軌道在真空反應箱體上方水平滑動。
所述的托盤繞自身中心旋轉。
通過激光發射器,使激光作用在工件上,激光發射器可以水平勻速運動,工件可進行周向運動,這樣可以有效發揮激光的工作效率,提高產能。
本實用新型有益效果在于:
1、裝置簡單,制備方便,生產成本低。
2、作用在氧化膜上得到的納米粉體更均勻,由于發射體,與工件同時都在運動,這樣又保證了工件有足夠的時間形成氧化膜。
附圖說明
圖1為本實用新型結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型做進一步說明。
本實用新型結構如圖1所示,包括內部設有托盤3的真空反應箱體1和位于真空反應箱體1上方的激光發射器2;所述的真空反應箱體連接有抽真空機,真空反應箱體1上方為透光結構,側壁開有氬氣通入口4,底部開有氧氣5通入口。
所述的激光發射器2通過水平軌道安裝在真空反應箱體1上方,沿水平軌道在真空反應箱體1上方水平滑動。所述的托盤繞自身中心旋轉。
本實用新型工作方法如下:
1、將工作放入真空反應箱體的托盤上,向箱體內通入氧氣,對工件進行氧化。
2、 對真空反應箱體進行抽真空。
3、 向真空反應箱體中通入氬氣,移動激光發射器使激光發射口正對工件,打開激光發射器,同時托盤旋轉,在工件表面制備納米粉體。
本實用新型具體應用途徑很多,以上所述僅是本實用新型的優選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本實用新型原理的前提下,還可以作出若干改進,這些改進也應視為本實用新型的保護范圍。
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