[實用新型]芯片固晶真空貼裝頭

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721870260.X
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN207690766U
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅德均;杜和平
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾產(chǎn)品（成都）有限公司;英特爾公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京永新同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11376
• 代理人: 鐘勝光

1.一種芯片固晶真空貼裝頭，其特征在于：包括加熱體，加熱體內(nèi)部帶有相互獨立的吸嘴真空吸附通道(1)和芯片真空吸附通道(2)，加熱體底部通過所述吸嘴真空吸附通道(1)吸附有吸嘴(3)，所述吸嘴(3)上設(shè)置有用于吸附芯片(7)的吸嘴開口，所述吸嘴開口的位置與所述芯片真空吸附通道(2)開口位置對應(yīng)。

2.如權(quán)利要求1所述的芯片固晶真空貼裝頭，其特征在于：所述芯片真空吸附通道(2)上連接有真空傳感器(4)。

3.如權(quán)利要求2所述的芯片固晶真空貼裝頭，其特征在于：所述真空傳感器(4)通過安裝座(8)安裝在吸嘴真空吸附通道(1)和芯片真空吸附通道(2)的真空管路上，所述安裝座(8)中設(shè)置有方向朝上的采樣通道(9)，所述真空傳感器(4)通過該采樣通道(9)對吸嘴真空吸附通道(1)和/或芯片真空吸附通道(2)進行檢測。

4.如權(quán)利要求1所述的芯片固晶真空貼裝頭，其特征在于：所述加熱體內(nèi)部的吸嘴真空吸附通道(1)和芯片真空吸附通道(2)均呈L型。

5.如權(quán)利要求1或4所述的芯片固晶真空貼裝頭，其特征在于：所述吸嘴真空吸附通道(1)和芯片真空吸附通道(2)在加熱體中鏡像對稱設(shè)置。

6.如權(quán)利要求1所述的芯片固晶真空貼裝頭，其特征在于：所述加熱體包括上半部的加熱片殼體(5)和下半部的加熱片(6)。

7.如權(quán)利要求6所述的芯片固晶真空貼裝頭，其特征在于：所述上半部的加熱片殼體(5)和下半部的加熱片(6)之間通過螺栓鏈接。

8.如權(quán)利要求7所述的芯片固晶真空貼裝頭，其特征在于：所述加熱片殼體(5)和下半部的加熱片(6)之間通過四顆螺栓鏈接，所述螺栓均帶有墊片，且至少有一顆螺栓的墊片為金屬墊片，另外的螺栓的墊片為云母墊片。

9.如權(quán)利要求6所述的芯片固晶真空貼裝頭，其特征在于：所述加熱片殼體(5)的厚度大于加熱片(6)。

10.如權(quán)利要求6、7、8、9中任意一項所述的芯片固晶真空貼裝頭，其特征在于：所述加熱片殼體(5)是由具有<10^-6/K熱膨脹系數(shù)的陶瓷鑄造而成。

11.如權(quán)利要求6、7、8、9中任意一項所述的芯片固晶真空貼裝頭，其特征在于：所述加熱片殼體(5)頂部裝配有冷卻裝置(11)。

12.如權(quán)利要求11所述的芯片固晶真空貼裝頭，其特征在于：所述冷卻裝置(11)為氣體冷卻裝置，在芯片固晶真空貼裝頭工作時氣體冷卻裝置(11)向加熱片殼體(5)頂部通氣體冷卻。

13.如權(quán)利要求6、7、8、9中任意一項所述的芯片固晶真空貼裝頭，其特征在于：所述加熱片(6)的加熱速度>130℃/s,平整度<0.2微米。

14.如權(quán)利要求1所述的芯片固晶真空貼裝頭，其特征在于：所述吸嘴(3)的表面平整，吸嘴(3)用于吸附芯片(7)的底面上設(shè)置有一個芯片吸附凸臺。

15.如權(quán)利要求14所述的芯片固晶真空貼裝頭，其特征在于：所述芯片吸附凸臺比對應(yīng)要吸附的芯片(7)的尺寸在每個方向都小至少100微米。