[實用新型]一種射頻感應耦合等離子體中和器有效
| 申請號: | 201721863054.6 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN207993797U | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發明(設計)人: | 陳慶川;聶軍偉;黃琪;石連天 | 申請(專利權)人: | 核工業西南物理研究院;成都同創材料表面科技有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 核工業專利中心 11007 | 代理人: | 高安娜 |
| 地址: | 610041 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 射頻感應耦合等離子體 中和器 等離子體放電腔 放電等離子體 容性耦合 電子束 本實用新型 射頻耦合 射頻 天線 低溫等離子體技術 陰極 陶瓷絕緣件 陽極 高壓絕緣 工作穩定 屏蔽外殼 氣路裝置 有效減少 有效屏蔽 雜質污染 無電極 屏蔽 濺射 內壁 束流 污染 離子 抽取 潔凈 容納 | ||
1.一種射頻感應耦合等離子體中和器,包括:用于容納放電等離子體的等離子體放電腔(1)、高壓絕緣氣路裝置(2)、射頻耦合天線(4)、用于收集離子和屏蔽射頻容性耦合的陰極(3)、屏蔽外殼(10)和用于從等離子體放電腔(1)中抽取電子束的陽極(7),其特征在于:
所述等離子體放電腔(1)為中空結構,其上端設有進氣孔,下端設有電子束引出孔,等離子體放電腔(1)安裝在屏蔽外殼(10)內部,屏蔽外殼(10)內部中間位置固定安裝有固定法蘭(12),等離子體放電腔(1)安裝在固定法蘭(12)上;
等離子體放電腔(1)上端設有氣體入口,下端設有電子束引出口,屏蔽外殼(10)上端設置有氣體入口,位置和等離子體放電腔(1)上端的氣體入口位置對應,屏蔽外殼(10)上端氣體入口和等離子體放電腔(1)上端進氣孔之間設置有氣路,屏蔽外殼(10)上端氣體入口和等離子體放電腔(1)上端進氣孔之間的部分的氣路上裝有高壓絕緣氣路裝置(2);
圓柱形陶瓷等離子體放電腔(1)外壁加工有螺旋形槽,用于安裝射頻耦合天線(4),同時也提高了射頻耦合天線(4)每匝間的絕緣強度,在等離子體放電腔(1)外壁下端的環形槽處設置有引線管路,引線管路穿過固定法蘭(12)后再穿過屏蔽外殼(10),使得射頻電源(6)通過匹配網絡(5)與射頻耦合天線(4)相連;
陰極(3)位于等離子體放電腔(1)內部,在橫切射頻耦合天線(4)卷繞方向上有一個窄縫,陰極(3)窄縫處設有放電觸發針(11);
等離子體放電腔(1)內陰極(3)和位于等離子體放電腔(1)下端的陽極構成射頻感應耦合等離子體中和器電子束的引出系統,陽極(7)上開有引出孔,且該引出孔與等離子體放電腔(1)下端引出孔對正,其中陽極(7)和陰極(3)之間通過陽極電源(8)施加正偏壓,陰極(3)和地之間通過陰極電源(9)施加負偏壓。
2.如權利要求1所述的一種射頻感應耦合等離子體中和器,其特征在于:所述等離子體放電腔(1)采用低介質損耗的絕緣介質構成。
3.如權利要求1所述的一種射頻感應耦合等離子體中和器,其特征在于:所述陰極(3)呈筒形。
4.如權利要求1所述的一種射頻感應耦合等離子體中和器,其特征在于:所述陰極(3)緊貼等離子體放電腔(1)內壁。
5.如權利要求1所述的一種射頻感應耦合等離子體中和器,其特征在于:所述陰極(3)窄縫處設置的放電觸發針(11),射頻電源(6)、匹配網絡(5)、射頻耦合天線(4)、等離子體放電腔(1)、陰極(3)和高壓絕緣氣路裝置(2)共同構成等離子體放電起輝維持系統。
6.如權利要求1所述的一種射頻感應耦合等離子體中和器,其特征在于:所述等離子體放電腔(1)可以為中空長方體結構,也可以為中空圓柱體結構。
7.如權利要求1所述的一種射頻感應耦合等離子體中和器,其特征在于:所述屏蔽外殼(10)和等離子體放電腔(1)上設置有兩組對應的氣體入口,屏蔽外殼(10)和等離子體放電腔(1)之間設置的氣路數量為兩路。
8.如權利要求1所述的一種射頻感應耦合等離子體中和器,其特征在于:所述陽極(7)和等離子體放電腔(1)下端開設有多組相互對應的引出孔。
9.如權利要求1所述的一種射頻感應耦合等離子體中和器,其特征在于:陽極(7)和陰極(3)之間通過陽極電源(8)施加0-30V正偏壓。
10.如權利要求1所述的一種射頻感應耦合等離子體中和器,其特征在于:陰極(3)和地之間通過陰極電源(9)施加0-70V負偏壓。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于核工業西南物理研究院;成都同創材料表面科技有限公司,未經核工業西南物理研究院;成都同創材料表面科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721863054.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





