[實用新型]功率半導體器件有效
| 申請號： | 201721862907.4 | 申請日： | 2017-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN207781616U | 公開（公告）日： | 2018-08-28 |
| 發明（設計）人： | 聞永祥;顧悅吉;葛俊山;孫文良;陳果 | 申請（專利權）人： | 杭州士蘭集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡純;范芳茗 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 緩沖區 摻雜類型 第二表面 半導體 功率半導體器件 發射區 集電區 阱區 正面結構 漂移區 減小 第一表面 激光處理 粗糙度 鄰接 延伸 申請 | ||
【權利要求書】：
1.一種功率半導體器件，包括：
位于半導體襯底的第一表面的正面結構，所述正面結構包括阱區和發射區，所述發射區位于所述阱區中；
位于所述半導體襯底的第二表面的緩沖區和集電區，所述集電區從所述第二表面延伸至與所述緩沖區鄰接，
其特征在于，所述半導體襯底形成所述功率半導體器件的漂移區，所述漂移區、所述發射區和所述緩沖區為第一摻雜類型，所述阱區和所述集電區為第二摻雜類型，所述第一摻雜類型與所述第二摻雜類型彼此相反,
所述半導體襯底的第二表面經過激光處理后的表面粗糙度為小于或等于0.01微米。
2.根據權利要求1所述的功率半導體器件，其特征在于，還包括：與所述發射區電連接的第一接觸，以及與所述集電區電連接的第二接觸。
3.根據權利要求1所述的功率半導體器件，其特征在于，所述半導體襯底為選自區熔法(FZ)、直拉法(CZ)或磁場直拉法(MCZ)制作的硅晶片。
4.根據權利要求1所述的功率半導體器件，其特征在于，所述第一摻雜類型為N型和P型中的一種，所述第二摻雜類型為N型和P型中的另一種。
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