[實用新型]一種硅片鍍膜前退火設備有效
| 申請號: | 201721848705.4 | 申請日: | 2017-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN207690765U | 公開(公告)日: | 2018-08-03 |
| 發明(設計)人: | 趙慶國;邱小永;陸波;周海權;胡青峰;李小飛 | 申請(專利權)人: | 浙江貝盛光伏股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/324;H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州千克知識產權代理有限公司 33246 | 代理人: | 裴金華 |
| 地址: | 313000 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片輸送 硅片鍍膜 加熱裝置 退火設備 導熱板 本實用新型 中心孔 箱體前后側壁 殘余應力 鍍膜工序 感應線圈 加氣結構 降溫裝置 晶體結構 前后側壁 上端敞口 轉換效率 加熱管 中空的 固接 管壁 硅片 懸架 組繞 包圍 貫穿 | ||
本實用新型公開了一種硅片鍍膜前退火設備,包括上端敞口的中空的箱體、懸架在所述箱體內并貫穿所述箱體前后側壁的硅片輸送管、包圍所述硅片輸送管的管壁外側的加熱裝置、連接所述加熱裝置的降溫裝置、開于所述硅片輸送管管壁內的加氣結構;所述加熱裝置包括多組繞設于所述硅片輸送管上的與所述硅片輸送管形狀相適應的感應線圈,包括設于所述箱體的前后側壁上的具有與所述硅片輸送管相適應的中心孔的導熱板、固接于所述導熱板上的并與所述導熱板的中心孔形狀相適應的加熱管。本實用新型提供一種硅片鍍膜前退火設備,能改善晶體結構,并消除硅片內部殘余應力,減少鍍膜工序及后續其它工序的碎片,提高轉換效率,降低生產成本。
技術領域
本實用新型涉及多晶硅電池片領域,特別涉及一種硅片鍍膜前退火設備。
背景技術
面對日益短缺的能源與不斷惡化的自然環境,人們將目光投向那些綠色環保、可再生的新能源的身上,如太陽能、風能、生物能、地熱能、潮汐能等等。作為可再生清潔能源的典型代表,光伏發電以其無污染、可再生、儲量豐富等優點引起了世界各國的高度重視,據有關機構和組織預測,到2040年世界太陽能光伏發電量將占世界電力總供應的20%以上。根據預測太陽能在未來能源結構當中所占的比例越來越大,在本世紀末太陽能將可能會成為主要的能源供給來源,所占比例可能會超過60%。
在各種太陽能電池中,硅太陽能電池因其可靠性高、壽命長、能承受各種環境變化等優點成為太陽能電池的主要品種。太陽能行業市場前景廣闊、發展迅猛,但單位發電量的成本還是很高是阻礙太陽能發電民用化的一個關鍵的因素。作為太陽能發電的核心元件-電池片除原材料的成本高之外,轉換效率較低也是一個重要原因。有研究分析指出,每提高電池片1%的轉化率,就能降低5%的生產成本。因此,研究如何提升多晶硅電池片的轉化率提升,對推動太陽能發電的發展起著非常重要的作用。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種硅片鍍膜前退火設備,改善晶體結構,并消除硅片內部殘余應力,減少鍍膜工序及后續其它工序的碎片,提高轉換效率,降低生產成本。
本實用新型的上述技術目的是通過以下技術方案得以實現的:
一種硅片鍍膜前退火設備,包括上端敞口的中空的箱體、懸架在所述箱體內并貫穿所述箱體前后側壁的硅片輸送管、包圍所述硅片輸送管的管壁外側的加熱裝置、連接所述加熱裝置的降溫裝置、開于所述硅片輸送管管壁內的加氣結構。
作為優選,所述加熱裝置包括多組繞設于所述硅片輸送管上的與所述硅片輸送管形狀相適應的感應線圈,鋪設于所述感應線圈與所述硅片輸送管之間的耐熱土。
作為優選,所述加熱裝置包括設于所述箱體的前后側壁上的具有與所述硅片輸送管相適應的中心孔的導熱板、固接于所述導熱板上的并與所述導熱板的中心孔形狀相適應的加熱管。
作為優選,所述降溫裝置包括連接各所述感應線圈和所述加熱管的進水軟管和出水軟管,架設于所述箱體頂部的連接各所述進水軟管的進水總管和連接各所述出水軟管的出水總管。
作為優選,所述感應線圈為空心感應線圈,所述加熱管為空心加熱管,所述空心感應線圈和空心加熱管都具有進水口和出水口,所述進水口與所述進水軟管連接,所述出水口與所述出水軟管連接。
作為優選,所述硅片輸送管橫截面成方形;所述硅片輸送管的寬度與硅片寬度相適應。
作為優選,所述加氣結構包括多個沿所述硅片輸送管前后方向的開于所述硅片輸送管管壁上的出氣孔,連通各所述出氣孔與所述箱體外的出氣總管。
作為優選,所述硅片輸送管內設有運輸硅片的軌道。
綜上所述,本實用新型具有以下有益效果:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





