[實(shí)用新型]一種再電離的質(zhì)譜儀有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721832720.X | 申請(qǐng)日: | 2017-12-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207602517U | 公開(公告)日: | 2018-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘遠(yuǎn)江;尹奇;尹欣馳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01J49/14 | 分類號(hào): | H01J49/14 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 陳升華 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 離子阱 電離裝置 電離 腔體 本實(shí)用新型 質(zhì)譜真空腔 質(zhì)譜儀 端蓋 絕緣連接 離子透鏡 中性粒子 電離源 燈絲 射入 背離 | ||
本實(shí)用新型公開了一種再電離的質(zhì)譜儀,包括電離源、質(zhì)譜真空腔、設(shè)置所述質(zhì)譜真空腔內(nèi)的離子阱,所述的離子阱連接有再電離裝置,所述的再電離裝置包括:腔體,腔體的一端與所述離子阱連接;加速端蓋,設(shè)置在所述腔體背離所述離子阱的一端;燈絲,與所述加速端蓋絕緣連接;離子透鏡,設(shè)置在所述腔體的中部。本實(shí)用新型中,離子阱連接有設(shè)置再電離裝置,再電離裝置將產(chǎn)生電子射入離子阱內(nèi),與離子阱內(nèi)中性粒子碰撞時(shí)將其電離,從而實(shí)現(xiàn)阱內(nèi)再電離。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及質(zhì)譜儀領(lǐng)域,具體涉及一種再電離的質(zhì)譜儀。
背景技術(shù)
質(zhì)譜儀是一種具有分析速度快、靈敏度高和具有分子特異性的科學(xué)分析儀器,廣泛應(yīng)用于化學(xué)、生物、環(huán)境監(jiān)測(cè)、醫(yī)療衛(wèi)生等眾多領(lǐng)域。而質(zhì)譜經(jīng)過多年的發(fā)展,已經(jīng)可以對(duì)大多數(shù)物質(zhì)進(jìn)行檢測(cè)。
質(zhì)譜中的核心是質(zhì)量分析器。它是依據(jù)不同方式將離子源中生成的樣品離子按質(zhì)荷比m/z的大小分開的儀器,位于離子源和檢測(cè)器之間。在諸多質(zhì)量分析器中,由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性價(jià)比高、靈敏度高、質(zhì)量范圍大以及單一的離子阱即可實(shí)現(xiàn)多級(jí)串聯(lián)質(zhì)譜等優(yōu)勢(shì),離子阱質(zhì)量分析器在物理學(xué)、分析化學(xué)、醫(yī)學(xué)、環(huán)境科學(xué)、生命科學(xué)等領(lǐng)域中獲得了廣泛的應(yīng)用。
離子阱可以存儲(chǔ)離子,還可以利用氮?dú)馀c阱內(nèi)的離子進(jìn)行碰撞使離子碎裂得到離子更多的結(jié)構(gòu)信息。這對(duì)于待測(cè)物質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)的分析和分子氣相反應(yīng)的探究具有很重要的價(jià)值。然而,離子阱內(nèi)無法存儲(chǔ)中性粒子,也不能使中性粒子離子化。中性粒子的缺失使得很多分子氣相反應(yīng)的過程都只能停留在猜想中,而無法真正的給出完美無瑕的實(shí)證。為了可以使離子阱內(nèi)的中性粒子離子化,本實(shí)用新型利用電子轟擊離子源生成電子,并將其射入阱內(nèi)并與中性粒子碰撞,將其電離,從而實(shí)現(xiàn)阱內(nèi)再電離。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供了一種再電離的質(zhì)譜儀,離子阱連接有再電離裝置,可實(shí)現(xiàn)中性粒子在離子阱內(nèi)的電離。
一種再電離的質(zhì)譜儀,包括電離源、質(zhì)譜真空腔、設(shè)置所述質(zhì)譜真空腔內(nèi)的離子阱,所述的離子阱連接有再電離裝置,所述的再電離裝置包括:
腔體,腔體的一端與所述離子阱連接;
加速端蓋,設(shè)置在所述腔體背離所述離子阱的一端;
燈絲,與所述加速端蓋絕緣連接;
離子透鏡,設(shè)置在所述腔體的中部。
本實(shí)用新型中,離子阱連接有設(shè)置再電離裝置,再電離裝置將產(chǎn)生電子射入離子阱內(nèi),與離子阱內(nèi)中性粒子碰撞時(shí)將其電離,從而實(shí)現(xiàn)阱內(nèi)再電離。
所述的腔體采用聚醚醚酮(PEEK)材質(zhì)。
所述的再電離裝置設(shè)置在所述質(zhì)譜真空腔內(nèi)。
所述的加速端蓋設(shè)有中空,該中空設(shè)置有絕緣端蓋,所述燈絲置放在該絕緣端蓋上,從而實(shí)現(xiàn)加速端蓋和燈絲的絕緣連接。
所述的加速端蓋采用不銹鋼材質(zhì),絕緣端蓋采用聚醚醚酮(PEEK)材質(zhì)。
所述的加速端蓋連接有電壓源,所述的燈絲也連接有電壓源。
所述的燈絲上加有30V電壓,加速端蓋上加有-120V電壓使電子加速射出。
所述的離子透鏡為三個(gè),三個(gè)離子透鏡向離子阱靠近方向依次減小,并且,最靠近離子阱的離子透鏡帶有離子導(dǎo)向筒,使射出的電子會(huì)聚,并順利射入離子阱。
所述的離子透鏡連接有電壓源,離子透鏡也采用不銹鋼材質(zhì)。
所述腔體上設(shè)有電極孔,所述離子透鏡通過該電極孔內(nèi)設(shè)置的電極針與所述電壓源連接。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于浙江大學(xué),未經(jīng)浙江大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721832720.X/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:輝光放電離子源裝置
- 下一篇:穩(wěn)定型照明用金鹵燈
- 高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法
- H型陣列離子阱及在其中進(jìn)行離子-離子反應(yīng)的方法
- 一種具有臺(tái)階柵網(wǎng)電極結(jié)構(gòu)的離子阱裝置
- 高電壓MOS晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法
- 離子阱的并行工作方法
- 雙線性離子阱間實(shí)現(xiàn)離子解離的質(zhì)譜儀
- 在軌道型離子阱中進(jìn)行離子反應(yīng)和分析的方法
- 在離子阱中同時(shí)進(jìn)行正負(fù)離子分析的方法
- 一種離子阱芯片及系統(tǒng)
- 一種真空光阱起支方法及裝置與應(yīng)用





