[實用新型]一種倒裝LED電極結構

有效

• 申請號: 201721733608.0
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN207818605U
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 胡序沅
• 申請（專利權）人: 青島典亮電子科技有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/62
• 代理公司: 北京天奇智新知識產權代理有限公司 11340
• 代理人: 陳永寧

1.一種倒裝LED電極結構，其特征在于：包括N型GaN層、發光層、P型GaN層、第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層、第二絕緣層、N區焊盤層、P區焊盤層、第一組刻蝕通道、第二組刻蝕通道、第三組刻蝕通道、第四組刻蝕通道、第五組刻蝕通道；

所述N型GaN層上為發光層，所述發光層上為P型GaN層，所述P型GaN層上為第一金屬層，所述第一金屬層上為第一絕緣層，所述第一絕緣層上為第二金屬層，所述第二金屬層上為第二絕緣層，所述第二絕緣層上為N區焊盤層和P區焊盤層，且N區焊盤層和P區焊盤層互不接觸；

所述第一組刻蝕通道穿過第一金屬層、P型GaN層和發光層，進入N型GaN層內部；所述第一絕緣層填充第一組刻蝕通道，到達N型GaN層；所述第二組刻蝕通道穿過第一絕緣層、P型GaN層、發光層和第一金屬層，進入N型GaN層內部，且與第一組刻蝕通道同心，但直徑較??；所述第二金屬層填充第二組刻蝕通道，到達N型GaN層；

所述第三組刻蝕通道穿過第二金屬層和第一絕緣層，進入第一金屬層；所述第二絕緣層填充第三組刻蝕通道，進入第一金屬層；所述第四組刻蝕通道穿過第二絕緣層、第二金屬層和第一絕緣層，進入第一金屬層，且與第三組刻蝕通道同心，但直徑較??；所述P區焊盤層填充第四組刻蝕通道，到達第一金屬層；

所述第五組刻蝕通道穿過第二絕緣層，到達第二金屬層；所述N區焊盤層填充第五組刻蝕通道，到達第二金屬層。

2.根據權利要求1所述的倒裝LED電極結構，其特征在于：所述第一金屬層為Ni/Ag金屬層沉積層。

3.根據權利要求1所述的倒裝LED電極結構，其特征在于：所述N區焊盤層和P區焊盤層分別占據芯片上表面一半的面積。