[實用新型]一種高壓雙向觸發二極管擴散片

有效

• 申請號: 201721718392.0
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN207719219U
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發明（設計）人: 陳創;高萌
• 申請（專利權）人: 徐州市晨創電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L23/495;H01L23/29
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種高壓雙向觸發二極管擴散片，包括殼體，所述殼體的內部填充有環氧樹脂封層，且環氧樹脂封層的內部中部設有芯片，所述芯片的兩側對稱焊接有焊片，兩個所述焊片遠離芯片的一側均連接有銅引線接頭，且銅引線接頭遠離焊片的一側連接有銅引線，所述殼體和環氧樹脂封層的內部均設有供銅引線排線的引線框架，所述銅引線置于引線框架的內部，且銅引線穿過引線框架的內壁向外延伸。本實用新型結構簡單，易操作，具有耐高壓的特點，能夠過壓保護電路，避免電路中的負載受到過壓損害，提高了整個電路的穩定性和安全性，適宜廣泛推廣。

技術領域

本實用新型涉及電子元器件技術領域，尤其涉及一種高壓雙向觸發二極管擴散片。

背景技術

雙向觸發二極管亦稱二端交流器件(DIAC)，與雙向晶閘管同時問世。由于它結構簡單、價格低廉，所以常用來觸發雙向晶閘管，還可構成過壓保護等電路。雙向觸發二極管的構造、符號及等效電路。高壓雙向觸發二極管(SIDAC)是一種二端半導體器件，其內部結構與雙向晶閘管十分相似，區別在于沒有觸發門極，是電壓自觸發器件。SIDAC的工作狀態如同一個開關，當電壓低于斷態峰值電壓VDRM時，其漏電流IDRM極小(小于微安量級)，為斷開狀態；當電壓超過其擊穿電壓UBO時，產生瞬間雪崩效應，該雪崩電流一旦超過開關電流IS，即進入雪崩倍增，在雪崩倍增下器件的阻抗驟然減小，電壓降為導通電壓(V<1.5V)，此時，SIDAC進入導通狀態，允許通過大的通態電流(0.7-2A，RMS值)，當電流降到最小維持電流IH值之下時SIDAC恢復到斷開狀態。但是現有的高壓雙向觸發二極管可靠性差，耐高壓能力差，而且性能極不穩定，不能有效的保護電路中的負載，使得整個電路的安全性不高，導致生產成本的提高和資源的浪費。

實用新型內容

為了解決上述背景技術中提到的問題，本實用新型提供一種高壓雙向觸發二極管擴散片。

為了實現上述目的，本實用新型采用了如下技術方案：

一種高壓雙向觸發二極管擴散片，包括殼體，所述殼體的內部填充有環氧樹脂封層，且環氧樹脂封層的內部中部設有芯片，所述芯片的兩側對稱焊接有焊片，兩個所述焊片遠離芯片的一側均連接有銅引線接頭，且銅引線接頭遠離焊片的一側連接有銅引線，所述殼體和環氧樹脂封層的內部均設有供銅引線排線的引線框架，所述銅引線置于引線框架的內部，且銅引線穿過引線框架的內壁向外延伸。

優選地，所述芯片為NPN三層結構的硅片，芯片包括第一N型半導體、P型半導體和第二N型半導體。

優選地，所述引線框架的內壁設有固定塊。

優選地，所述殼體的外壁設有若干個空腳。

優選地，所述殼體的外壁對稱設有兩個接地端。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：芯片的外壁封裝有環氧樹脂封層，具有良好的絕緣性，將二極管安裝在電路板中，殼體的外壁設置有用于接地保護的接地端，使用時更加安全，通過固定塊將銅引線固定于引線框架的內壁，增加了銅引線的穩定性，避免銅引線松動而造成接觸不良的局面，當電路中的電壓過大后，高壓雙向觸發二極管進入導通狀態，使后面的負載免受過壓損害，保護電路。本實用新型結構簡單，易操作，具有耐高壓的特點，能夠過壓保護電路，避免電路中的負載受到過壓損害，提高了整個電路的穩定性和安全性，適宜廣泛推廣。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型芯片的結構示意圖。

圖中：殼體1、環氧樹脂封層2、芯片3、焊片4、銅引線接頭5、引線框架6、銅引線7、固定塊8、空腳9、接地端10、第一N型半導體11、P型半導體12、第二N型半導體13。

具體實施方式