[實(shí)用新型]拋負(fù)載低過壓區(qū)的三晶體過流保護(hù)型A電路電壓調(diào)節(jié)芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721702971.6
• 申請日: 2017-12-10
• 公開（公告）號: CN208000512U
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊明
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山中錦微電科技有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種拋負(fù)載低過壓區(qū)的三晶體過流保護(hù)型A電路電壓調(diào)節(jié)芯片，其特征在于包括：

第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、儲能延時(shí)單元、閾值調(diào)整單元、電阻R1、采樣單元、基準(zhǔn)單元和續(xù)流單元，其中：

所述第一晶體管的發(fā)射極接地，所述第一晶體管集電極通過電阻R1連接電源正極，所述第一晶體管的集電極還連接第三晶體管的輸入端和儲能延時(shí)單元的輸入端，所述第三晶體管的接地端接地，所述第三晶體管的輸出端連接所述第二晶體管的集電極，所述第二晶體管的基極連接所述儲能延時(shí)單元的輸出端，所述儲能延時(shí)單元的接地端接地，所述第二晶體管的發(fā)射極通過所述閾值調(diào)整單元連接所述第一晶體管的基極，所述第三晶體管輸出端作為所述電壓調(diào)節(jié)芯片的輸出端，用于控制發(fā)電機(jī)的勵磁電流；所述采樣單元連接電源正極和地，所述采樣單元的輸出端通過所述基準(zhǔn)單元連接所述第一晶體管的基極，所述續(xù)流單元連接于所述第三晶體管輸出端和電源正極之間；

當(dāng)發(fā)電機(jī)電源正極電壓低于設(shè)定值時(shí)且所述第三晶體管正常導(dǎo)通時(shí)，所述儲能延時(shí)單元儲能，所述第二晶體管的發(fā)射極電流為0使所述第一晶體管截止；當(dāng)發(fā)電機(jī)電源正極電壓高于設(shè)定值時(shí)，所述采樣單元輸出電壓通過所述基準(zhǔn)單元驅(qū)動第一晶體管導(dǎo)通，使所述第三晶體管截止切斷勵磁電流，當(dāng)所述儲能延時(shí)單元的儲能釋放結(jié)束時(shí)使所述第二晶體管截止、進(jìn)而使所述第一晶體管截止同時(shí)所述儲能延時(shí)單元儲能、所述第一晶體管截止還促使所述第三晶體管導(dǎo)通，通過電路的正反饋?zhàn)饔檬顾龅谌w管試圖迅速進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)：若電源正極電壓低于設(shè)定值則所述第三晶體管進(jìn)入正常飽和導(dǎo)通狀態(tài)、若電源正極電壓持續(xù)高于設(shè)定值則所述采樣單元輸出電壓通過所述基準(zhǔn)單元驅(qū)動第一晶體管導(dǎo)通使所述第三晶體管截止切斷勵磁電流；當(dāng)所述第三晶體管過流致使所述第三晶體管飽和壓降超過所述閾值調(diào)整單元導(dǎo)通閾值電壓時(shí)，所述第二晶體管的發(fā)射極電流驅(qū)動第一晶體管導(dǎo)通使所述第三晶體管截止得到保護(hù)，當(dāng)所述儲能延時(shí)單元的儲能釋放結(jié)束時(shí)使所述第二晶體管截止、進(jìn)而使所述第一晶體管截止同時(shí)所述儲能延時(shí)單元儲能、所述第一晶體管截止還促使所述第三晶體管導(dǎo)通，通過電路的正反饋?zhàn)饔檬顾龅谌w管試圖迅速進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)：若過流解除則所述第三晶體管進(jìn)入正常飽和導(dǎo)通狀態(tài)、若持續(xù)過流則所述第三晶體管過高的飽和壓降通過所述第二晶體管的發(fā)射極電流驅(qū)動第一晶體管導(dǎo)通使所述第三晶體管截止繼續(xù)得到保護(hù)。