[實用新型]單晶爐導流筒有效
| 申請號: | 201721674397.8 | 申請日: | 2017-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN207811930U | 公開(公告)日: | 2018-09-04 |
| 發明(設計)人: | 陳家駿;鄒凱;曾世銘;徐由兵 | 申請(專利權)人: | 包頭市山晟新能源有限責任公司 |
| 主分類號: | C30B29/06 | 分類號: | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 闞梓瑄;王衛忠 |
| 地址: | 014100 內蒙古自*** | 國省代碼: | 內蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 外錐筒 單晶爐 導流筒 內筒體 內錐筒 本實用新型 傳熱系數 上端口 外筒體 下端口 體內 氣流通道 內筒 外筒 連通 | ||
本實用新型提出一種單晶爐導流筒。本實用新型的單晶爐導流筒具有上端口和下端口,且該單晶爐導流筒包括外筒體、內筒體、外錐筒和內錐筒。內筒體設于外筒體內。外錐筒設于內筒體內。內錐筒設于外錐筒內,并與外錐筒間形成有連通上端口和下端口的氣流通道,且內錐筒和外錐筒的傳熱系數均大于內筒體和外筒體的傳熱系數。
技術領域
本實用新型涉及一種單晶爐導流筒。
背景技術
目前,制造單晶硅的方法有直拉法、懸浮區熔法、基座法和片狀單晶生長法等,其中,由于直拉法生長單晶硅的設備和工藝較為簡單,生產效率高,且容易控制單晶中的雜質濃度,因此,直拉法生長單晶硅應用較為廣泛。直拉法所采用的單晶爐是制備單晶硅的主要設備,單晶爐內部裝有熱場,熱場設有導流筒。可使惰性氣體(例如氬氣)的氣流可由上而下經過導流筒導入熱場內部,帶走硅溶液上方的SiO,并對單晶硅進行降溫,增大其縱向溫度梯度,使單晶快速生長。
但是,現有的導流筒通常為石墨等材料,其溫度梯度相對較小。因此,單晶硅生長速度較慢,單位時間內所產出的有效單晶較少,生產效率較低。
在所述背景技術部分公開的上述信息僅用于加強對本實用新型的背景的理解,因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
實用新型內容
本實用新型的目的在于克服上述現有技術的不足,提供一種能提高單晶硅生長速度的單晶爐導流筒。
本實用新型的額外方面和優點將部分地在下面的描述中闡述,并且部分地將從描述中變得顯然,或者可以通過本實用新型的實踐而習得。
根據本實用新型的一個方面,一種單晶爐導流筒,具有上端口和下端口,所述單晶爐導流筒包括外筒體、內筒體、外錐筒和內錐筒。所述內筒體設于所述外筒體內。所述外錐筒設于所述內筒體內。所述內錐筒設于所述外錐筒內,并與所述外錐筒間形成有連通所述上端口和所述下端口的氣流通道,且所述內錐筒和所述外錐筒的傳熱系數均大于所述內筒體和所述外筒體的傳熱系數。
根據本實用新型的一實施方式,所述外錐筒和所述內錐筒的錐度相同。
根據本實用新型的一實施方式,所述外錐筒和所述內錐筒的錐度不同,且所述外錐筒和所述內錐筒之間的距離由所述上端口向所述下端口逐漸變小。
根據本實用新型的一實施方式,所述內錐筒的側壁為平滑的圓錐面。
根據本實用新型的一實施方式,所述內錐筒的外周形成有多個周向分布的凸棱,多個所述凸棱均沿所述內錐筒的母線方向延伸且均與所述外錐筒接觸,以將所述氣流通道分隔為多個子通道。
根據本實用新型的一實施方式,所述內錐筒由多個外凸弧面和多個內凹弧面平滑過渡連接所圍成,所述外凸弧面為所述凸棱。
根據本實用新型的一實施方式,所述內錐筒的至少一個所述凸棱通過鉚釘與所述外錐筒連接。
根據本實用新型的一實施方式,所述鉚釘的材料與所述內錐筒和/或所述外錐筒的材料相同。
根據本實用新型的一實施方式,所述外錐筒與所述內筒體貼合。
根據本實用新型的一實施方式,所述內錐筒和/或所述外錐筒的材料為鉬。
由上述技術方案可知,本實用新型具備以下優點和積極效果中的至少之一:
可通過內錐筒與外錐筒在內筒體中形成一獨立的連通下端口和上端口的氣流通道,即內錐筒與外錐筒之間的空間;使得進入上端口的惰性氣體的氣流可通過該氣流通道從下端口輸出,并帶走熱量。在此過程中,由于內錐筒和外錐筒的傳熱系數均大于內筒體和外筒體的傳熱系數,可使散熱速度得以提高,相較于現有技術,可提高單晶爐導流筒內部的縱向溫度梯度,從而有利于提升單晶生長速度,提高生產效率。
附圖說明
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