[實用新型]晶片研磨盤

有效

• 申請號: 201320688857.8
• 申請日: 2013-10-31
• 公開（公告）號: CN203665306U
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 侯明永
• 申請（專利權）人: 重慶晶宇光電科技有限公司
• 主分類號: B24B37/16
• 分類號: B24B37/16
• 代理公司: 云南派特律師事務所 53110
• 代理人: 龔筍根

技術領域

本實用新型涉及晶片研磨加工領域，尤其涉及一種用于對超薄光學晶片進行研磨加工的研磨盤。

背景技術

石英晶片是制造頻率發生和控制用的電子元器件，石英晶片的厚度同頻率成反比，石英晶體經過切割后的晶片，要根據晶片的設計要求，一道一道淹沒至固定厚度，再經過腐蝕達到固定頻率才能使用。因此，研磨是晶片加工中的關鍵過程。

在對晶片進行研磨拋光處理時，通常需要用到研磨機。研磨盤是研磨機中最主要的工作部件，研磨晶片時，將復數晶片上蠟并黏置于研磨盤上，再以該研磨盤設置于相對應的研磨機中進行晶片研磨的減薄作業。各鏡片于研磨完畢后即可將研磨盤由機器中取出。

目前光學晶片在研磨加工的時候，行業內所采用的研磨盤都是由鑄鐵或碳鋼制成的，其重量較重，所以在加工的過程中，容易造成光學晶片的擠壓，產生刮痕，降低光學晶片的合格率。若不經過研磨加工這個工序，光學晶片將不能達到超薄的要求，因此，有必要對現有的研磨盤結構進行改良。

實用新型內容

本實用新型的目的在于，提出一種晶片研磨盤，其可以減少晶片磨損，提高光學晶片的合格率。

為實現上述目的，本實用新型提供了一種晶片研磨盤，其包括：一研磨盤盤體，該研磨盤盤體包括一呈圓環形設置的盤本體、設于盤本體一側表面且向外凸出設置的凸臺，以及設于盤本體另一側表面上的研磨層；所述盤本體中間位置處設有一貫穿設置的軸孔，該軸孔內設有花鍵；所述研磨層表面上設有數道導流槽，該導流槽包括沿圓環的圓心向外延伸設置的數道環形槽，以及沿圓環的半徑方向設置的數道徑向槽，該環形槽和徑向槽之間相連接設置。

具體的，所述研磨盤盤體可以采用合成塑料制作而成。

本實用新型中，所述盤本體的厚度約為21mm-24mm，凸臺的厚度約為7mm-9mm，研磨層的厚度約為7mm-9mm。

選擇性的，所述盤本體的厚度可以為22mm，凸臺的厚度可以為8mm，研磨層的厚度可以為8mm。

具體的，所述呈圓環形設置的盤本體的外圓直徑約為205mm-260mm，其內圓直徑約為60mm-90mm。

選擇性的，所述盤本體的外圓直徑可以為250mm，其內圓直徑可以為80mm。

本實用新型中，所述數道環形槽呈同心圓設置，每道環形槽之間均等距離設置。

再者，所述數道徑向槽之間呈等距離設置。

進一步地，所述環形槽和徑向槽的深度約為1.5mm-1.9mm。

具體的，所述環形槽和徑向槽的深度均可以為1.8mm。

本實用新型的晶片研磨盤，其采用塑料材料制作而成，不僅成本較為低廉，且降低了材料硬度和重量，在光學晶片加工過程中，不會產生刮痕，尤其適用于超薄光學晶片的研磨加工；同時，其導流槽按照游星輪運行方向，采用環形槽及徑向槽的特殊設計，可以極大的減小光學晶片邊緣與原來的井字型導流槽碰擦產生的晶片破碎，從而可以減少晶片磨損，提高光學晶片的合格率。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型的晶片研磨盤一種具體實施例的結構示意圖；

圖2為沿圖1中A-A方向的剖面示意圖。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。