[實用新型]一種大面積熱絲CVD金剛石薄膜生長裝置

有效

• 申請號: 201721623900.7
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN207552442U
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 姜辛;劉魯生;黃楠
• 申請（專利權）人: 中國科學院金屬研究所
• 主分類號: C23C16/27
• 分類號: C23C16/27;C23C16/455;C23C16/46;C23C16/52
• 代理公司: 沈陽優普達知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 21234
• 代理人: 張志偉

1.一種大面積熱絲CVD金剛石薄膜生長裝置，其特征在于，該裝置設有密閉的反應腔體，反應腔體內的上部設有氣體噴淋環，氣體噴淋環通過管路與外部氣源連接，反應腔體的外側設有抽真空系統和真空測控系統；氣體噴淋環下方于反應腔體內，平行依次布置熱絲、基片、導電層、絕緣層、水冷樣品臺，基片、導電層、絕緣層疊放于水冷樣品臺上，水冷樣品臺通過轉軸與外部調速電機相連接。

2.按照權利要求1所述的大面積熱絲CVD金剛石薄膜生長裝置，其特征在于，水冷樣品臺的上方于反應腔體外設有工件內表面溫度紅外測溫儀和熱絲溫度紅外測溫儀。

3.按照權利要求1所述的大面積熱絲CVD金剛石薄膜生長裝置，其特征在于，反應腔體外部設有冷水機、直流加熱電源和偏壓電源，冷水機與水冷樣品臺通過管路連接，偏壓電源兩端分別與導電層、反應腔體的一端連接，直流加熱電源兩端分別與熱絲連接。