[實用新型]一種用于固定襯底的石英支架有效
| 申請號: | 201721576096.1 | 申請日: | 2017-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN207441651U | 公開(公告)日: | 2018-06-01 |
| 發明(設計)人: | 郭宗亮;李秋;魏愛香;肖志明 | 申請(專利權)人: | 廣東工業大學 |
| 主分類號: | H01J37/20 | 分類號: | H01J37/20;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 羅滿 |
| 地址: | 510006 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 石英墊片 支撐柱 本實用新型 上支撐架 石英支架 下支撐架 應用靈活性 均勻流動 框架結構 靈活調整 平行設置 相對設置 移動過程 裝卸方便 滑動 掉落 移位 限位 開通 應用 保證 | ||
本實用新型公開了一種包括石英墊片、平行設置的上支撐架和下支撐架,上支撐架和下支撐架間設有相對設置的第一支撐柱和第二支撐柱,石英墊片設于第一支撐柱和第二支撐柱間且能夠沿其滑動以對襯底進行限位。應用本實用新型公開的石英支架,襯底被石英墊片間隔開,通過調整石英墊片的特定厚度和數量可以靈活調整襯底間距,且該裝置開通的框架結構保證氣流的均勻流動,通過石英墊片對襯底進行固定,避免襯底在移動過程中移位或掉落,且裝卸方便,提高應用靈活性。
技術領域
本實用新型涉及石英制備技術領域,更具體地說,涉及一種用于固定襯底的石英支架。
背景技術
近年新發展出一種以化學氣相法(簡稱CVD)合成過渡金屬硫族化合物二維材料的方法,這是一種利用低沸點硫族單質的蒸汽與高溫區固態前驅體(過渡金屬氧化物或氯化物等)揮發出來的氣體在高溫下反應生成過渡金屬硫族化合物,并在襯底上形成二維材料。制備金屬硫化物二維納米材料通常采用CVD技術在硅片等襯底上生長,即在CVD石英管的上游段放置硫族元素單質,在恒溫區放置前驅體,而襯底需要倒扣且懸于前驅體上方一定距離,文獻中報道的普遍做法是以圓柱狀或舟狀的坩堝或石英為容器來裝載前驅體,襯底倒扣在容器口上。這種方法雖然簡單,但也存在幾個問題:首先這些容器沒有水平方向的氣孔,不能保證氣流均勻地流過襯底表面;其次,使用該方法每次只能制備一片樣品,效率低下;第三,前驅體揮發到襯底表面的量受前驅體和襯底的距離的影響,而這一距離被固定為容器的高度,在實驗參數調整時,需要特別定制數量較多的不同尺寸的容器而造成不便;最后,這種方法由于沒有對襯底進行固定,在裝入爐管或從爐管取出時容易碰倒襯底。
綜上所述,如何合理地設計一個用于固定襯底的反應支架以解決化學氣相法制備二維材料時氣流不均、制備效率低、操作不便等問題,是目前本領域技術人員面臨的問題。
實用新型內容
有鑒于此,本實用新型的目的在于提供一種用于固定襯底的石英支架,以從反應支架的設計方面解決通過化學氣相法制備二維材料時氣流不均、制備效率低、操作不便等問題。
為了達到上述目的,本實用新型提供如下技術方案:
一種用于固定襯底的石英支架,包括石英墊片、平行設置的上支撐架和下支撐架,所述上支撐架和所述下支撐架間設有相對設置的第一支撐柱和第二支撐柱,所述石英墊片設于所述第一支撐柱和所述第二支撐柱間且能夠沿其滑動以對襯底進行限位。
優選地,所述第一支撐柱設有滑行槽,所述石英墊片設有與所述滑行槽配合的滑行凸起。
優選地,所述石英墊片與所述第二支撐柱接觸的一端設有用于對所述石英墊片在所述第二支撐柱的移動進行限位的限位凸起。
優選地,所述限位凸起沿所述石英墊片的長度方向延伸,所述限位凸起包括第一限位面和第二限位面,所述第一限位面和所述第二限位面分別與所述第二支撐柱的第一側面和第二側面接觸以進行限位。
優選地,所述滑行槽為燕尾槽,所述滑行凸起為燕尾榫。
優選地,所述滑行槽沿長度方向貫通所述第一支撐柱的兩端。
優選地,還包括設于所述第一支撐柱和所述第二支撐柱間分別與二者固定連接的橫梁。
優選地,所述石英墊片的個數為多個。
優選地,所述上支撐架和所述下支撐架均分別為矩形支撐架,所述第一支撐柱和所述第二支撐柱分別設于所述矩形支撐架的頂點處。
優選地,所述橫梁的兩端分別設于所述第一支撐柱和所述第二支撐柱的中點處且分別與所述橫梁焊接固定。
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