[實(shí)用新型]一種晶圓清洗裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721572504.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207503929U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 肖榮輝;薛超;常傳棟;王大為;吳孝哲;林宗賢;吳龍江 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 冷卻罩 諧振罩 本實(shí)用新型 清洗腔室 清洗裝置 冷卻液 種晶 鋪設(shè) 晶圓清洗裝置 冷卻模塊 冷卻效率 清洗空間 均勻性 清洗腔 上表面 體內(nèi)部 載物臺(tái) 密閉 側(cè)壁 晶圓 罩設(shè) 罩體 冷卻 清洗 室內(nèi) | ||
本實(shí)用新型提供一種晶圓清洗裝置,包括:清洗腔室;載物臺(tái),設(shè)置于所述清洗腔室內(nèi);諧振罩,罩設(shè)于所述載物臺(tái)上方,為所述載物臺(tái)上的待清洗晶圓提供密閉的清洗空間;線圈,設(shè)置于所述諧振罩上方的清洗腔室側(cè)壁上;冷卻罩,鋪設(shè)于所述諧振罩的上表面,所述冷卻罩包括罩體及設(shè)置于所述罩體內(nèi)部的冷卻液。本實(shí)用新型的晶圓清洗裝置在諧振罩的上方鋪設(shè)一冷卻罩,并通過(guò)冷卻模塊對(duì)冷卻罩中的冷卻液進(jìn)行溫度控制,可大大提高冷卻的均勻性及冷卻效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,特別是涉及一種晶圓清洗裝置。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展,集成電路已經(jīng)從單個(gè)晶片上制作少數(shù)互連器件發(fā)展到能夠制作數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的器件,同時(shí)該發(fā)展還在不斷的繼續(xù)。由于集成電路內(nèi)各元件及連線相當(dāng)微細(xì),因此制造過(guò)程中,如果遭到塵粒、金屬的污染,很容易造成晶片內(nèi)電路功能的損壞,形成短路或斷路等,導(dǎo)致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。因此,在制作過(guò)程中除了要排除外界的污染源外,集成電路制造步驟如高溫?cái)U(kuò)散、離子植入前等均需要進(jìn)行濕法清洗或干法清洗工作。干、濕法清洗工作是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下,有效地使用化學(xué)溶液或氣體清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子及有機(jī)物之雜質(zhì)。
等離子體清洗是現(xiàn)在比較常用的一種晶圓清洗方式。等離子體是物質(zhì)的一種存在狀態(tài),等離子體狀態(tài)中存在下列物質(zhì):處于高速運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子;處于激活狀態(tài)的中性原子、分子、原子團(tuán)(自由基);離子化的原子、分子;未反應(yīng)的分子、原子等,但物質(zhì)在總體上仍保持電中性狀態(tài)。
等離子清洗機(jī)就是通過(guò)利用這些活性組分的性質(zhì)來(lái)處理樣品表面,通過(guò)射頻電源在一定的壓力情況下起輝產(chǎn)生高能量的無(wú)序的等離子體,通過(guò)等離子體轟擊被清洗產(chǎn)品表面,從而實(shí)現(xiàn)清潔、改性、光刻膠灰化等目的。
如圖1所示為現(xiàn)有的一種等離子晶圓清洗裝置1,所述等離子晶圓清洗裝置1包括清洗腔室11,設(shè)置于所述清洗腔室11內(nèi)的載物臺(tái)12,設(shè)置于所述載物臺(tái)12上方的諧振罩13,設(shè)置于所述諧振罩13上方的所述清洗腔室11側(cè)壁的線圈14,設(shè)置于所述清洗腔室11頂部的風(fēng)扇15以及設(shè)置于所述載物臺(tái)12下方的腔體保護(hù)罩16。晶圓放置于所述載物臺(tái)12上,反應(yīng)氣體通入所述清洗腔室11,所述線圈14通電,電場(chǎng)在所述諧振罩13的作用下,將所述諧振罩13下的反應(yīng)氣體轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體,高能量的等離子體轟擊晶圓表面,將晶圓表面的污染物帶離晶圓,一部分落入所述腔體保護(hù)罩16內(nèi),另一部分彈起嵌入所述諧振罩13內(nèi)壁。電源以及等離子體產(chǎn)生的熱量會(huì)使得所述諧振罩13的溫度升高,一旦溫度過(guò)高,附著于所述諧振罩13表面的雜質(zhì)將會(huì)脫落,并掉落在晶圓表面,造成晶圓的再污染以及功能的缺陷,因此,需要通過(guò)所述風(fēng)扇15對(duì)所述諧振罩13進(jìn)行降溫處理,但是所述風(fēng)扇15設(shè)置于所述諧振罩13的正上方,降溫的區(qū)域集中在所述諧振罩13的正中間,邊緣區(qū)域的降溫效果比較差,仍然存在雜質(zhì)掉落的情況,另外,風(fēng)扇降溫存在降溫效率低溫度不可控等問(wèn)題。
因此如何提高諧振罩降溫的均勻性,溫度可控性并提高效率已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題之一。
實(shí)用新型內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本實(shí)用新型的目的在于提供一種晶圓清洗裝置,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中諧振罩降溫的均勻性差、溫度不可控、效率低等問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實(shí)用新型提供一種晶圓清洗裝置,所述晶圓清洗裝置至少包括:
清洗腔室;
載物臺(tái),設(shè)置于所述清洗腔室內(nèi);
諧振罩,罩設(shè)于所述載物臺(tái)上方,為所述載物臺(tái)上的待清洗晶圓提供密閉的清洗空間;
線圈,設(shè)置于所述諧振罩上方的清洗腔室側(cè)壁上;
冷卻罩,鋪設(shè)于所述諧振罩的上表面,所述冷卻罩包括罩體及設(shè)置于所述罩體內(nèi)部的冷卻液。
優(yōu)選地,所述晶圓清洗裝置還包括設(shè)置于所述載物臺(tái)下方的腔體保護(hù)罩。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于德淮半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)德淮半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721572504.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





