[實用新型]一種晶圓清洗裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721572504.6 | 申請日： | 2017-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN207503929U | 公開（公告）日： | 2018-06-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 肖榮輝;薛超;常傳棟;王大為;吳孝哲;林宗賢;吳龍江 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 冷卻罩 諧振罩 本實用新型 清洗腔室 清洗裝置 冷卻液 種晶 鋪設 晶圓清洗裝置 冷卻模塊 冷卻效率 清洗空間 均勻性 清洗腔 上表面 體內部 載物臺 密閉 側壁 晶圓 罩設 罩體 冷卻 清洗 室內 | ||
1.一種晶圓清洗裝置，其特征在于，所述晶圓清洗裝置至少包括：
清洗腔室；
載物臺，設置于所述清洗腔室內；
諧振罩，罩設于所述載物臺上方，為所述載物臺上的待清洗晶圓提供密閉的清洗空間；
線圈，設置于所述諧振罩上方的清洗腔室側壁上；
冷卻罩，鋪設于所述諧振罩的上表面，所述冷卻罩包括罩體及設置于所述罩體內部的冷卻液。
2.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述晶圓清洗裝置還包括設置于所述載物臺下方的腔體保護罩。
3.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述晶圓清洗裝置還包括冷卻模塊，所述冷卻模塊設置于所述清洗腔室的外部，通過管路與所述冷卻罩連接，對所述冷卻罩中的冷卻液進行循環(huán)及溫度控制。
4.根據權利要求3所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述冷卻模塊的輸入端及輸出端的管路上均設置有閥門。
5.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述諧振罩的材料為石英。
6.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述諧振罩的形狀為半球形。
7.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述冷卻罩的罩體材料為特氟龍。
8.根據權利要求7所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述冷卻罩的罩體為管狀結構，通過從圓心向外盤繞得到圓形冷卻罩結構。
9.根據權利要求7所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述冷卻罩為袋狀結構。
10.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述晶圓清洗裝置還包括設置于所述清洗腔室底部、提供反應氣體的氣體管路。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
