[實用新型]一種用于半導體器件劑量率效應實驗的精密控溫裝置

有效

• 申請號: 201721562344.7
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN207895330U
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 張瑩;侯世堯;宋宇;周航;羅佳;代剛
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院電子工程研究所
• 主分類號: G05D23/22
• 分類號: G05D23/22
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211
• 代理人: 蔣斯琪

1.一種用于半導體器件劑量率效應實驗的精密控溫裝置，其特征在于，包括：耐高溫陶瓷結構、遠程控制線纜（15）、電氣溫控結構和計算機（14），耐高溫陶瓷結構用于放置樣品（8），耐高溫陶瓷結構通過遠程控制線纜（15）連接電氣溫控結構，電氣溫控結構連接計算機（14）；所述耐高溫陶瓷結構包括耐高溫材質的外殼（1）和內壁（4），外殼（1）和內壁（4）之間形成有空腔，內壁（4）為空中的筒狀；所述內壁（4）內設置有樣品盒（7），樣品盒（7）的兩端通過絕熱環（9）徑向安裝于內壁（4）的中間位置；所述外殼（1）也呈筒狀，外殼（1）和內壁（4）之間的空腔內設置有若干同軸向環形均勻分布的耐高溫的陶瓷管（2），陶瓷管（2）內均設置有貫穿陶瓷管（2）的電阻絲（3）；所述外殼（1）和內壁（4）之間的空腔內，陶瓷管（2）周圍填充有隔熱層（10）。

2.根據權利要求1所述的一種用于半導體器件劑量率效應實驗的精密控溫裝置，其特征在于，所述外殼（1）和內壁（4）均采用耐高溫的主要成分為三氧化二鋁的陶瓷制作；所述隔熱層（10）為陶瓷纖維。

3.根據權利要求1所述的一種用于半導體器件劑量率效應實驗的精密控溫裝置，其特征在于，所述內壁（4）外側沿軸向可按等間距排列設置多圈陶瓷管（2）。

4.根據權利要求1所述的一種用于半導體器件劑量率效應實驗的精密控溫裝置，其特征在于，所述內壁（4）的兩個端口分別為粒子入射窗口（5）和粒子出射窗口（6），內壁（4）的中空部分為粒子流通道，通入的粒子流穿過樣品盒（7）中的樣品（8）；所述粒子入射窗口（5）和粒子出射窗口（6）均采用二氧化硅或鋁材料制作。

5.根據權利要求1所述的一種用于半導體器件劑量率效應實驗的精密控溫裝置，其特征在于，所述樣品盒（7）采用鋁材制作，樣品盒（7）設計為圓柱體形狀。

6.根據權利要求1所述的一種用于半導體器件劑量率效應實驗的精密控溫裝置，其特征在于，所述外殼（1）的上端設置有用于與遠程控制線纜（15）連接的電纜接口（11）；所述電阻絲（3）穿過陶瓷管（2）連接于電纜接口（11）上，通過電纜接口（11）與遠程控制線纜（15）連接。

7.根據權利要求1所述的一種用于半導體器件劑量率效應實驗的精密控溫裝置，其特征在于，所述電氣溫控結構包括電氣控制柜（13）和溫控儀（12），溫控儀（12）安裝于電氣控制柜（13）上并通過線纜與電氣控制柜（13）內的熱電偶連接；所述熱電偶為K型或S型熱電偶。

8.根據權利要求7所述的一種用于半導體器件劑量率效應實驗的精密控溫裝置，其特征在于，所述電阻絲（3）通過電纜接口（11）連接遠程控制線纜（15），遠程控制線纜（15）連接電氣控制柜（13），通過與熱電偶連接的溫控儀（12）實時監測樣品盒（7）內部溫度。

9.根據權利要求1-8任意一項所述的一種用于半導體器件劑量率效應實驗的精密控溫裝置，其特征在于，所述精密控溫裝置的控溫范圍為：室溫~250攝氏度，控溫精度優于1攝氏度。

10.根據權利要求1所述的一種用于半導體器件劑量率效應實驗的精密控溫裝置，其特征在于，所述精密控溫裝置適用于長時間的伽馬射線輻照環境中。