[發(fā)明專利]一種反向氣流法制備層狀鉍氧硒半導(dǎo)體薄膜的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110033688.3 | 申請日： | 2021-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN112359421B | 公開（公告）日： | 2021-04-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊夕;朱夢劍;朱志宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國人民解放軍國防科技大學(xué) |
| 主分類號： | C23C24/08 | 分類號： | C23C24/08;C30B29/46;C30B23/02 |
| 代理公司： | 長沙國科天河知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 43225 | 代理人： | 邱軼 |
| 地址： | 410073 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 反向 氣流 法制 層狀 鉍氧硒 半導(dǎo)體 薄膜 方法 | ||
1.一種反向氣流法制備層狀鉍氧硒半導(dǎo)體薄膜的方法，其特征在于，包括如下步驟：以鉍氧硒固體粉末為生長原材料，將所述生長原材料置于管式爐中心位置，基底置于管式爐內(nèi)爐膛口位置；
先向管式爐內(nèi)通入反向氣流并對管式爐內(nèi)進(jìn)行加熱，達(dá)到沉積溫度后，在所述沉積溫度下保溫；在沉積溫度下保溫的時間為10～50分鐘；
保溫結(jié)束后，再轉(zhuǎn)為向管式爐內(nèi)通入正向氣流以使所述生長原材料在所述基底上沉積生長，沉積完畢后，得到層狀鉍氧硒半導(dǎo)體薄膜；沉積溫度為680~750℃，沉積時間為1~30分鐘；所述反向氣流和正向氣流的氣流大小為100~250立方厘米/分鐘；
整個制備過程的壓強為常壓。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述反向氣流方向為由基底到生長原材料；所述正向氣流方向為由生長原材料到基底。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述生長原材料鉍氧硒為Bi2O2Se固體粉末，所述Bi2O2Se固體粉末的質(zhì)量為0.5~3g。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述管式爐為石英管式爐。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底為氟金云母，化學(xué)式為KMg(ALSi3O10)F2。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氣流載氣為氬氣。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述氬氣的濃度≥99.9%。
8.一種層狀鉍氧硒半導(dǎo)體薄膜，其特征在于，采用如權(quán)利要求1~7任一項所述的制備方法制備得到。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C24-00 自無機粉末起始的鍍覆
C23C24-02 .僅使用壓力的
C23C24-08 .加熱法或加壓加熱法的
C23C24-10 ..覆層中臨時形成液相的
C23C24-04 ..顆粒的沖擊或動力沉積
C23C24-06 ..粉末狀覆層材料的壓制，例如軋制
