[實(shí)用新型]一種用于靜電約束聚變的陰極裝置及靜電約束聚變裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721488676.5 | 申請(qǐng)日： | 2017-11-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN207503650U | 公開（公告）日： | 2018-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陸鵬宇;劉敏勝;趙鑫;王漢清;宋韻洋 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 新奧科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G21B1/11 | 分類號(hào)： | G21B1/11;G21B1/05 |
| 代理公司： | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 065001 河北省廊坊市經(jīng)濟(jì)*** | 國(guó)省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 靜電約束 陰極裝置 保護(hù)層 陰極 聚變裝置 本實(shí)用新型 金屬絲 電阻材料 使用壽命 陰極引線 核聚變 電連接 電阻率 耐高溫 繞制 制作 | ||
1.一種用于靜電約束聚變的陰極裝置，所述陰極裝置包括由金屬絲繞制形成網(wǎng)狀的陰極，以及與所述陰極電連接的陰極引線，其特征在于，所述陰極的金屬絲上包裹有保護(hù)層；
所述保護(hù)層由耐高溫的電阻材料制作而成；
當(dāng)所述保護(hù)層的工作溫度大于或等于800℃時(shí)，所述保護(hù)層的電阻率小于108Ωm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極裝置，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度為1um～1000um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極裝置，其特征在于，所述陰極包括被所述保護(hù)層覆蓋的覆蓋區(qū)域和未被所述保護(hù)層覆蓋的裸露區(qū)域；所述覆蓋區(qū)域的表面積占所述陰極總表面積的85％～99.5％。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陰極裝置，其特征在于，所述裸露區(qū)域位于所述陰極上遠(yuǎn)離所述陰極引線的一端。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陰極裝置，其特征在于，所述裸露區(qū)域位于所述陰極上垂直于第一連線、且經(jīng)過(guò)所述陰極的中心的平面上；其中，所述第一連線為所述陰極引線在所述陰極上的連接點(diǎn)與所述陰極中心的連線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極裝置，其特征在于，還包括套設(shè)在所述陰極引線上的絕緣筒；
所述保護(hù)層的電阻率大于所述絕緣筒的電阻率的十分之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極裝置，其特征在于，所述保護(hù)層耐受的高溫區(qū)間為800℃～2800℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陰極裝置，其特征在于，當(dāng)所述保護(hù)層工作在所述高溫區(qū)間內(nèi)時(shí)，所述保護(hù)層的電阻率為102Ωm～108Ωm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極裝置，其特征在于，所述保護(hù)層的制作材料為氧化鋁或氮化硼。
10.一種靜電約束聚變裝置，其特征在于，包括具有空腔的陽(yáng)極，以及設(shè)置在所述陽(yáng)極空腔內(nèi)的如權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的陰極裝置，所述陽(yáng)極和所述陰極之間具有間隙。
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