[實用新型]金屬內連線的互連結構及半導體器件

有效

• 申請號: 201721487820.3
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN207409478U
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 謝明燈
• 申請（專利權）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種金屬內連線的互連結構，其特征在于，包括：

一襯底；

多層互連層，依次堆疊在所述襯底上，所述互連層包括多個傳導部，其中，相鄰的所述傳導部共同界定出一空氣間隙，所述空氣間隙位于相鄰的所述傳導部之間，并使所述傳導部具有暴露在所述空氣間隙中的非傳導側壁；以及，

至少一層支撐蓋層，形成在相鄰的所述互連層之間，所述支撐蓋層貼附于其下方的所述互連層中的所述傳導部的頂部并且遮蓋其下方在相鄰的所述傳導部之間的所述空氣間隙的上方，所述支撐蓋層支撐其上方的所述互連層中的所述傳導部。

2.如權利要求1所述的金屬內連線的互連結構，其特征在于，所述傳導部包括一導電層和一披覆膜，所述披覆膜覆蓋所述導電層的頂部和側壁以及在所述傳導部之間的所述空氣間隙的底部，并且所述披覆膜中位在所述導電層的側壁的部分暴露在所述空氣間隙中。

3.如權利要求2所述的金屬內連線的互連結構，其特征在于，所述披覆膜在所述導電層的頂部周邊形成有橫向增厚的懸空部，以縮小所述空氣間隙上方被所述支撐蓋層遮蓋的開口尺寸。

4.如權利要求2所述的金屬內連線的互連結構，其特征在于，所述傳導部還包括一粘附層，所述粘附層位于所述導電層和所述披覆膜之間而覆蓋所述導電層的頂部和側壁，所述披覆膜覆蓋所述粘附層的表面。

5.如權利要求4所述的金屬內連線的互連結構，其特征在于，所述粘附層包括氮氧化硅層。

6.如權利要求2所述的金屬內連線的互連結構，其特征在于，所述導電層包括一金屬層和分別位于所述金屬層的頂部和底部的金屬擴散阻擋層。

7.如權利要求1所述的金屬內連線的互連結構，其特征在于，所述空氣間隙在一線路截斷方向的寬度等于小于所述傳導部在同一線路截斷方向的寬度。

8.如權利要求1至7中任一項所述的金屬內連線的互連結構，其特征在于，在每一所述互連層中，多個所述傳導部的頂表面之間的高度位置的差值小于等于所述支撐蓋層的厚度值。

9.一種半導體器件，其特征在于，包括權利要求1至7中任一項所述的金屬內連線的互連結構。