[實用新型]一種新型硅片背靠背擴散石英舟有效
| 申請號: | 201721482921.1 | 申請日: | 2017-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN207398100U | 公開(公告)日: | 2018-05-22 |
| 發明(設計)人: | 韓方微;趙美菊;陳陽泉 | 申請(專利權)人: | 潤峰電力有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
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| 地址: | 272000 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 硅片 背靠背 擴散 石英 | ||
一種新型硅片背靠背擴散石英舟,包括至少兩組呈上下疊放的擋板,所述擋板之間通過至少三組硅片導向柱連接,所述硅片導向柱上設置有至少兩組橫向硅片卡槽,所述橫向硅片卡槽由撇口部及水平延伸部組成,所述擋板與硅片導向柱組成花籃式硅片放置區,所述至少兩組橫向硅片卡槽內插接有硅片,所述硅片的非制絨面呈相對放置;本實用新型提供了一種新型硅片背靠背擴散石英舟,該裝置采用了橫向插片方式,即兩張硅片的制絨面朝外,背靠背(非制絨面相對)被水平插入石英舟,其中一張硅片的制絨面朝上,另一張硅片的制絨面朝下。使兩張硅片疊放在一起,上面的硅片在自身重力作用下和下面的硅片緊緊的貼合在一起,解決兩張硅片之間存在縫隙的問題。
技術領域
本實用新型涉及一種用于硅片擴散的石英舟裝置。
背景技術
在太陽電池和半導體器件制造領域,硅片的擴散工序是核心部分,擴散質量的好壞直接影響了PN結的光學、電學和光電性質。為了提高太陽電池和半導體器件的產能,目前絕大數相關的制造商采用的是背靠背的擴散方式,即制絨面朝外,非制絨面相對靠在一起。在擴散過程中硅片基本上都是豎直地插在石英舟上。這種豎直插片的方式非常方便人眼檢查硅片是否存在漏插和碎片情況。但是這種豎直插片的方式存在一定的缺點,那就是背靠背的兩張硅片之間存在一定的間隙。即使在插片過程中沒有間隙,在擴散過程中需要對爐管進行升溫,由于熱脹冷縮原理,兩張硅片會出現不同程度的彎曲變形,也會導致兩張硅片產生間隙。間隙的存在會導致硅片的背面(非制絨面)也進行了大面積的擴散,在一定程度會導致工藝氣體的浪費和氣流的不穩定性。
發明內容
針對現有硅片擴散工序中存在的非制絨面大面積擴散的問題,本實用新型提供了一種新型硅片背靠背擴散石英舟,該裝置采用了橫向插片方式,即兩張硅片的制絨面朝外,背靠背(非制絨面相對)被水平插入石英舟,其中一張硅片的制絨面朝上,另一張硅片的制絨面朝下。使兩張硅片疊放在一起,上面的硅片在自身重力作用下和下面的硅片緊緊的貼合在一起,解決兩張硅片之間存在縫隙的問題。
為實現上述目的,本實用新型采用以下技術方案:一種新型硅片背靠背擴散石英舟,包括至少兩組呈上下疊放的擋板,所述擋板之間通過至少三組硅片導向柱連接,所述硅片導向柱上設置有至少兩組橫向硅片卡槽,所述橫向硅片卡槽由撇口部及水平延伸部組成,所述擋板與硅片導向柱組成花籃式硅片放置區,所述至少兩組橫向硅片卡槽內插接有硅片,所述硅片的非制絨面呈相對放置。
優選的,所述橫向硅片卡槽為橫向開口,所述橫向硅片卡槽至少四十組,規則排列在硅片導向柱上。
優選的,所述橫向硅片卡槽撇口部開口為60度,水平延伸部深度為3毫米,寬度為2毫米。
優選的,所述硅片導向柱為石英材質導向柱。
優選的,所述擋板為兩組,分為上擋板及下擋板,上擋板與下擋板之間通過硅片導向柱連接。
優選的,所述下擋板下方安裝有支撐柱;支撐柱能夠使得石英舟與石英舟架之間保持一定距離,有利于工藝氣體與硅片充分接觸。
優選的,所述擋板為中空結構;中空結構有利于工藝氣體和硅片充分均勻接觸,在一定程度緩解了硅片間的擴散不均勻性。
附圖說明
為了對本實用新型做進一步說明,下面列舉了附圖說明。
圖1為本實用新型的結構示意圖。
圖2為本實用新型導向柱結構示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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