[實用新型]一種ESD保護電路有效

申請號：	201721470177.3	申請日：	2017-11-07
公開（公告）號：	CN207367971U	公開（公告）日：	2018-05-15
發明（設計）人：	張軍亮;陳利	申請（專利權）人：	福建晉潤半導體技術有限公司
主分類號：	H01L27/02	分類號：	H01L27/02;H01L21/8232
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	362200 福建省泉州市***	國省代碼：	福建;35
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種 esd 保護電路
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【權利要求書】：

1.一種ESD保護電路，其特征在于：包括GCNMOS結構、達林頓復合晶體管和電阻R1、R2；所述GCNMOS結構包括NMOS管、電容C和電阻Rp；所述達林頓復合晶體管由兩個三極管NPN1和NPN2并聯構成；所述NMOS管的柵極分別通過所述電容C和所述電阻Rp連接到PAD端和GND，所述NMOS管的源極連接所述NPN1的基極，所述NPN1的發射極和所述NPN2的基極相連，所述NPN1和NPN2的基極分別通過所述電阻R1、R2連接到GND，所述NPN1和NPN2的集電極和所述NMOS管的漏極連接到PAD，所述NPN2的發射極連接到GND。

2.根據權利要求1所述的一種ESD保護電路，其特征在于：所述電容C為多晶硅電容。

3.根據權利要求1所述的一種ESD保護電路，其特征在于：所述電阻R1、R2和Rp為多晶硅電阻。

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