[實(shí)用新型]一種分布式磁控濺射靶有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721410725.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207498459U | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 秦正春;李東濱;吳疆;馮斌;王德苗;金浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州求是真空電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陰極板 磁芯 靶材組件 磁芯孔 靶材 本實(shí)用新型 磁控濺射靶 電磁線圈 固定組件 密封腔 鍍膜 密封圈 立體產(chǎn)品 三維產(chǎn)品 安裝環(huán) 半球形 絕緣環(huán) 均勻性 密封罩 垂直 貫穿 | ||
1.一種分布式磁控濺射靶,其特征在于:包括自上而下設(shè)置的密封罩(5)、真空安裝環(huán)(4)、絕緣環(huán)(7)和陰極板(6),還包括靶材組件、固定組件和密封圈(9);
所述的密封罩(5)通過固定組件安裝在真空安裝環(huán)(4)上,兩者之間的空隙形成密封腔;
所述的陰極板(6),真空安裝環(huán)(4)和夾在中間的絕緣環(huán)(7)通過固定組件緊密的結(jié)合在一起,與板面的垂直方向上設(shè)有若干個(gè)安裝靶材組件的磁芯孔(13),所述的磁芯孔(13)的分布與所鍍膜的三維產(chǎn)品相對(duì)應(yīng);
所述的靶材組件包括電磁線圈(3)、磁芯(2)、和球形靶材(1);所述的球形靶材(1)安裝在陰極板(6)上與密封腔相對(duì)的一側(cè),直接與陰極板(6)接觸;所述的磁芯(2)貫穿磁芯孔(13),所述的磁芯(2)一端為半球形并置于球形靶材(1)內(nèi),另一端位于密封腔中,其側(cè)面套有電磁線圈(3);所述的磁芯(2)通過固定組件與陰極板(6)相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種分布式磁控濺射靶,其特征在于:所述的固定組件包括螺釘(8)和壓板(12)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種分布式磁控濺射靶,其特征在于:所述的密封罩(5)通過螺釘(8)安裝在真空安裝環(huán)(4)上;所述的陰極板(6),真空安裝環(huán)(4)和夾在中間的絕緣環(huán)(7)通過螺釘(8)一體固定;所述的靶材組件通過壓板(12)和螺釘(8)固定在絕緣環(huán)(7)和陰極板(6)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種分布式磁控濺射靶,其特征在于:所述的壓板(12)位于電磁線圈(3)和陰極板(6)之間,所述的螺釘(8)貫穿壓板(12)與陰極板(6)相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種分布式磁控濺射靶,其特征在于:所述的靶材組件通過至少2組所述的壓板(12)和螺釘(8)固定在陰極板(6)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種分布式磁控濺射靶,其特征在于:所述的真空安裝環(huán)(4)為內(nèi)部中空的環(huán)形結(jié)構(gòu),其尺寸大于陰極板(6)或絕緣環(huán)(7)的尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種分布式磁控濺射靶,其特征在于:所述的密封罩(5)上設(shè)有接線盤(11)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種分布式磁控濺射靶,其特征在于:所述的接線盤(11)通過電纜與陰極板(6)相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種分布式磁控濺射靶,其特征在于:所述的密封罩(5)上設(shè)有絕緣冷卻液進(jìn)口(10_1)和絕緣冷卻液出口(10_2),所述的絕緣冷卻液進(jìn)口(10_1) 和絕緣冷卻液出口(10_2)與密封腔相通。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





