[實用新型]一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201721385002.2 | 申請日: | 2017-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN207265054U | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發明(設計)人: | 程鴻飛 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:襯底基板,以及位于所述襯底基板上的數據線、導電屏蔽層、像素電極、黑矩陣,其中,
所述導電屏蔽層和所述像素電極均位于所述數據線背向所述襯底基板的一側,所述導電屏蔽層與所述像素電極和所述數據線均不接觸,所述導電屏蔽層和所述黑矩陣均包括與所述數據線相對的部分,所述黑矩陣位于所述導電屏蔽層背向所述數據線的一側。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,在所述數據線的寬度方向上,所述數據線與所述導電屏蔽層相對的部分在所述襯底基板上的正投影,落入所述導電屏蔽層與該數據線相對的部分在所述襯底基板上的正投影內,所述導電屏蔽層與所述數據線相對的部分在所述襯底基板上的正投影,落入所述黑矩陣與該數據線相對的部分在所述襯底基板上的正投影內。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述導電屏蔽層與所述像素電極同層設置。
4.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括位于所述像素電極背向所述襯底基板的一側的公共電極,所述導電屏蔽層與所述公共電極同層設置。
5.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述公共電極為狹縫狀電極。
6.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述像素電極與所述公共電極之間設置有層間絕緣層。
7.根據權利要求3~6任一所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括位于所述襯底基板上的柵線;
所述導電屏蔽層和所述黑矩陣均還包括與所述柵線相對的部分,所述導電屏蔽層不與所述柵線接觸,且在所述柵線的寬度方向上,所述柵線與所述導電屏蔽層相對的部分在所述襯底基板上的正投影,落入所述導電屏蔽層與該柵線相對的部分在所述襯底基板上的正投影內,所述導電屏蔽層與所述柵線相對的部分在所述襯底基板上的正投影,落入所述黑矩陣與該柵線相對的部分在所述襯底基板上的正投影內。
8.根據權利要求7所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括與所述柵線同層設置且位于所述柵線一側的公共電極線;
在所述柵線的寬度方向上,所述公共電極線在所述襯底基板上的正投影和所述柵線在所述襯底基板上的正投影均落入所述黑矩陣與該柵線相對的部分在所述襯底基板上的正投影內。
9.根據權利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線同層設置,且所述薄膜晶體管的柵極與對應的所述柵線連接,所述薄膜晶體管的源極和漏極均與所述數據線同層設置,且所述薄膜晶體管的源極與所述數據線連接,所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極連接;
所述薄膜晶體管與所述像素電極之間設置有鈍化層;
所述陣列基板還包括彩膜層,所述彩膜層位于所述鈍化層與所述像素電極之間,所述彩膜層與所述像素電極之間設置有平坦化層。
10.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述導電屏蔽層與設置在所述襯底基板邊緣的電壓源連接。
11.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括如權利要求1~10任一所述的陣列基板。
12.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權利要求11所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





