[實用新型]一種發光效率高的LED外延結構有效
| 申請號： | 201721376107.1 | 申請日： | 2017-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN207338420U | 公開（公告）日： | 2018-05-08 |
| 發明（設計）人： | 彭澤滔;吳質樸;何畏;陳強 | 申請（專利權）人： | 江門市奧倫德光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光 效率 led 外延 結構 | ||
1.一種發光效率高的LED外延結構，包括襯底(200)以及層疊在所述襯底(200)上的緩沖層(201)、未摻雜Si的U型GaN層(202)、摻雜Si的N型GaN層(203)、有源層(205)、電子阻擋層(206)和P型GaN層(207)，其特征在于：還包括層疊在所述N型GaN層(203)和有源層(205)之間的V型開角層(204)，所述V型開角層(204)為由摻In的In
2.根據權利要求1所述的一種發光效率高的LED外延結構，其特征在于：所述超晶格層的層數為3-8。
3.根據權利要求1所述的一種發光效率高的LED外延結構，其特征在于：所述V型開角層(204)的厚度為150-500nm。
4.根據權利要求1所述的一種發光效率高的LED外延結構，其特征在于：所述襯底(200)為藍寶石、AlN、SiC和GaN中的一種，所述襯底(200)的表面結構為平面或刻有圖形的延伸面。
5.根據權利要求1所述的一種發光效率高的LED外延結構，其特征在于：所述緩沖層(201)、U型GaN層(202)和N型GaN層(203)的厚度均為1-2μm。
6.根據權利要求1-5任一所述的一種發光效率高的LED外延結構，其特征在于：所述有源層(205)的厚度為100-200nm，所述電子阻擋層(206)的厚度為30-80nm，所述P型GaN層(207)的厚度為40-90nm。
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